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POWER GaN tendone l’affidabilità. Infine, sono previste funzioni di blocco di sottotensione (UVLO), protezione da sovracor- rente (OCP) e protezione da sovratemperatura (OTP). Prezzo e affidabilità Grazie ai numerosi e significativi benefici e a una gamma di dispositivi sempre più ampia per soddisfare le esigenze di nuove applicazioni, il passaggio al GaN dovrebbe essere quasi automatico. Ciò non avviene a causa del persistere di pregiudizi ormai superati relativi al prezzo e all’affida- bilità. Partendo da dati pubblicamente disponibili, la figura 6 evidenzia come gli HEMT GaN Inno- GaN di Innoscience siano competi- tivi in termini di prezzo con il silicio. Inoltre, il GaN offre la possibilità di ri- durre ulteriormente i costi a livello di sistema, poiché la maggiore efficienza porta a una riduzione delle dimensio- ni (e quindi del prezzo) dei componenti passivi e magnetici richiesti. Innoscience è riuscita a realizzare di- spositivi GaN a prezzi competitivi investendo nelle fabbriche di wafer GaN-on-Si da 8 pollici più grandi del mondo, sfruttando così i vantaggi del- le economie di scala. Inoltre, gestendo in casa tutti i processi manifatturieri principali, inclusa l’epitassia, l’azienda mantiene rese costantemente elevate. Parlando di affidabilità, la prima os- servazione è che il GaN può sembrare Fig. 5 – La semplicità d’uso è il tratto distintivo dei nuovi circuiti integrati GaN di Innoscience (SoliGaN) Fig. 6 - Confronto fra i prezzi dei dispositivi SJ e InnoGaN una novità, ma di fatto è in circolazione da 20 anni ed è stato ampiamente studiato e compreso. Attualmente i dispositivi vengono testati secondo la normativa in- ternazionale JEDEC e le di- rettive JEDEC specifiche per i dispositivi Wide Band Gap (JEP 180), eseguendo test nei quali i dispositivi ven- gono sollecitati con stress di commutazione per ripro- durre le condizioni di utiliz- zo reali. Innoscience esegue ulteriori test di durata del componente (lifetime tests) che comprendono HTGB (oltre le specifichemassime del gate) e HTRB (oltre le specifiche massime della tensio- ne di drain nello stato di off). I dispositivi GaN, sia discreti sia integrati, sono disponibi- li per una gamma crescente di applicazioni. Grazie ai di- spositivi GaN, le soluzioni per la conversione e la gestione della potenza possono diventare più compatte, leggere, efficienti e semplici. I dispositivi hanno dimostrato di es- sere affidabili e (almeno per quanto riguarda i dispositivi di Innoscience) ed il passaggio al GaN non comporta un aggravio di costi: anzi, è più probabile l’esatto contrario. ELETTRONICA OGGI 525 - APRILE 2025 52