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POWER GaN alimentatore (PSU) viene ripotato in figura 1. L’esempio mostra un alimentatore da 4,2 kilowatt che utilizza un componente GaN in alta tensione da 700V sul lato prima- rio, abbinato a un dispositivo GaN da 150V sul lato secon- dario. La figura illustra un design PFC Totem Pole più LLC che utilizza commutatori di potenza GaN in alta tensione con R DS(on) di 30mΩ e 70mΩ in package TOLL per il lato primario, mentre sul lato secondario vengono impiegate quattro coppie di componenti in bassa tensione con R DS(on) pari a 3,2mΩ in un package QFN Flip Chip. Il risultato è un alimentatore da 4,2kW che misura solo 185 x 69 x 37mm e raggiunge una densità di potenza di ben 130 watt per pollice cubo, che permette di soddisfare agevolmente le specifiche di efficienza “80+ Titanium” con un picco di efficienza del 97,5%. Un alimentatore equivalente realiz- zato mediante la tecnologia al silicio potrebbe facilmente avere dimensioni doppie. La figura 2 mostra un’altra applicazione particolarmen- te adatta per il GaN. In un faretto per binario da 150W, un driver LED al silicio risulterebbe troppo lungo oppure troppo ingombrante in termini di spessore. Il GaN mette a disposizione una soluzione PFC (più LLC) da 200kHz con dimensioni di 15x15x200 mm, perfette per l’installazione nel faretto. Inoltre, la soluzione di Innoscience assicura un’efficienza del 4% superiore, con un risparmio di 6W per binario. In fondo alla figura 2, viene propo- sto anche un confronto fra una so- luzione GaN da 200We una soluzio- ne al silicio da 120W, evidenziando come la soluzione GaN sia più corta del 37% e più sottile del 57% rispet- to all’equivalente in silicio. Esistono molti altri esempi, ripor- tati in figura 3. Un apparecchio televisivo sottile che richiede una potenza di 300W non può preve- dere un alimentatore ingombran- te per ragioni estetiche: grazie al GaN, è stato possibile realizzare una soluzione che misura soli 220 Fig. 1 - Utilizzando la tecnologia GaN sul lato primario e secondario dell’alimentatore si possono raggiungere valori particolarmente elevati di densità di potenza Fig. 2 - L’utilizzo del GaN permette di realizzare un driver per LED più sottile di risparmiare 6W di potenza per binario. In basso vengono messe a confronto una soluzione GaN da 200W e una soluzione in silicio da 120W ELETTRONICA OGGI 525 - APRILE 2025 50