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TECH INSIGHT PRIMO PIANO Gate driver per FET GaN da 200 V per applicazioni spaziali Emanuele Dal Lago Texas Instruments (TI) ha annunciato una nuova famiglia di gate driver per transistor FET GaN di tipo half-bridge, re- sistenti e tolleranti alle radiazioni ( radiation-hardened e ra- diation-tolerant ). Questa serie comprende il primo driver FET GaN per uso spaziale in grado di supportare tensioni fino a 200 V. Questi dispositivi sono forniti package ceramici e plastici compatibili pin-to-pin e supportano tre livelli di tensione. I sistemi satellitari stanno diventando sempre più complessi per soddisfare la crescente domanda di elaborazione e tra- smissione dei dati in orbita, di immagini ad alta risoluzione e di maggiore precisione nei rilevamenti. Per migliorare le capacità durante la missione, è necessario ottimizzare l’ef- ficienza del sistema di alimentazione elettrica. I nuovi gate driver di TI sono progettati per pilotare con precisione i FET GaN con brevi tempi di salita e discesa, riducendo quindi le dimensioni e migliorando la densità dell’alimentatore. In questo modo, il satellite può utilizzare in modo più efficace l’energia generata dalle sue celle fotovoltaiche per svolge- re le funzioni richieste dalla missione. Grazie alla tecnolo- gia GaN è possibile ottimizzare dimensioni, peso e potenza (SWaP), in modo da migliorare le prestazioni del sistema elettrico, aumentare la durata delle missioni, ridurre la massa e il volume del satellite eminimizzare il sovraccarico dovuto alla gestione termica. I progettisti possono sfruttare questa famiglia di prodotti per applicazioni che interessano l’intero sistema di alimen- tazione elettrica. Il gate driver per FETGaNda 200 V è adatto per i sistemi di propulsione e la conversione della potenza in ingresso nei pannelli fotovoltaici, mentre le versioni da 60 V e 22 V sono state ideate per la distribuzione e la conversione di energia in tutto il satellite. I modd. TPS7H6003-SP, TPS7H6013-SP, TPS7H6023-SP e TPS7H6005-SEP sono disponibili su TI.com . Sono disponi- bili anche quantità di pre-produzione di TPS7H6015-SEP e TPS7H6025-SEP, mentre TPS7H6005-SP, TPS7H6015-SP e TPS7H6025-SP saranno disponibili per l’acquisto entro giu- gno 2025. Le risorse di sviluppo comprendono inoltre moduli di valu- tazione per tutti i nove dispositivi, nonché progetti di riferi- mento e modelli di simulazione. I gate driver per FET GaN per uso spaziale di TI coprono l’intero intervallo di tensioni necessario per la progettazione dei sistemi di alimentazione satellitari Silicon Labs ha annunciato BG22L e BG24L, le versioni “Lite”dei propri SoC (SystemonChip) BG22 eBG24: la prima è stata espressamente ideata per le più diffuse applicazioni Bluetoooth (come le etichette per il tracciamento degli asset e le appliance di ridotte dimensioni), mentre la seconda pre- vede un acceleratore per le applicazioni AI/ML e il supporto per Channel Sounding. Ottimizzato in termini di consumi, affidabilità, prestazioni Nuovi SoC BLE a bassissimo consumo Alessandro Nobile ELETTRONICA OGGI 524 - MARZO 2025 16