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EO POWER - GENNAIO/FEBBRAIO 2025 XI IGBT MODULES migliore, che rappresenta sicuramente un vantaggio per la rete. Una soluzione formata da più moduli IGBT di potenza QDual3 di onsemi posti in parallelo consente ai progetti- sti di realizzare un modulo ANPC a tre livelli in grado di fornire una potenza di uscita compresa tra 1,6 e 1,8 MW. I moduli di potenza QDual 3 (Fig. 2) integrano le più re- centi tecnologie dei diodi e degli IGBT FS7 (Field Stop 7) da 1.200 V che assicurano le migliori prestazioni nelle appli- cazioni a elevata potenza. Con la tecnologia FS7 è stato possibile ridurre in modo significativo le perdite di con- duzione rispetto alla generazione precedente. Nel processo IGBT FS7, una regione di mesa stretta con struttura a trincea (trench) assicura bassi valori di VCE(- SAT) e un’elevata densità di potenza, mentre il buffer realizzato mediante implantazione di protoni assicura eccellenti caratteristiche di commutazione in termini di affidabilità e gradualità della commutazione (Fig. 3). I di- spositivi realizzati in tecnologia FS7 per applicazioni di commutazione a velocità media, come ad esempio il con- trollo motore, si distinguono per il valore estremamen- te ridotto di VCE(SAT), pari a soli 1,65 V. Le versioni della linea FS7 ad alta velocità sono invece caratterizzate da valori di EOFF (perdite di energia in fase di spegnimento) Fig. 2 – Moduli IGBT QDual3 di onsemi Fig. 3 – La tecnologia FS7 assicura sensibili miglioramenti dei parametri chiave che definiscono le prestazioni