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EO POWER - GENNAIO/FEBBRAIO 2025 VI Power tati nel package En-FCQFN con raffreddamento sul lato superiore, che offrono importanti benefici in termini di prestazioni termiche. Ad esempio, a 30 A la temperatu- ra di giunzione nel package con raffreddamento sul lato superiore scende dai 52,2 °C del package con raffredda- mento sul lato inferiore a 39,6 °C, con un miglioramento del 25%. I quattro transistor di potenza GaN appena rila- sciati nel package En-FCQFN con raffreddamento sul lato superiore comprendono i componenti da 100 V INN100EQ Innoscience Technology ha presentato quattro dei suoi transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) GaN-su-si- licio (GaN-on-Si) del tipo ad arricchimento (e-mode) ospi- Transistor di potenza GaN da 100-150 V con raffreddamento sul lato superiore Emanuele Dal Lago I quattro nuovi transistor di potenza GaN in package En-FCQFN di Innoscience riducono la temperatura di giunzione del 25% legati all’isteresi. La misura differenziale del campo ma- gnetico tra due elementi di rilevamento interni fornisce una retroazione di corrente accurata, oltre a garantire l’eli- minazione degli effetti del campo di dispersione. Caratte- rizzato da una larghezza di banda di 500 kHz e da un tempo di risposta di 2 μs, questo sensore è ideale per le applicazio- ni ad alta velocità, tra cui convertitori e controllo motore. Architettura digitale per una miglior precisione L’architettura digitale intelligente del sensore MLX91235 assicura un’elevata precisione di misura consentendo l’in- clusione di diverse funzioni chiave che contribuiscono ami- gliorare losviluppo, la calibrazionee l’integrazionedel siste- ma. In presenza di non linearità intrinseche, le architetture analogiche si basano spesso sulla compensazione lineare a tratti. L’architettura digitale del sensore MLX91235 permet- te di effettuare una compensazione più precisa e sofisticata, per un risultato più accurato e uniforme. La compensazione termica completamente digitale garantisce inoltre la mas- sima precisione di misura in tutte le condizioni operative. La calibrazione “aperta” del dispositivo è configurata tra- mite un’interfaccia SPI standard. Rispetto ai sensori ana- logici coreless, la calibrazione digitale permette di regolare direttamente e rapidamente diversi elementi come la corre- zione digitale del guadagno. Il rilevamento integrato di sovracorrente (OCD) a 16 bit sup- porta soglie asimmetriche e include due intervalli di soglia configurabili. Questa funzione è caratterizzatadaun tempodi rilevamento configurabile con una durataminima di 2 μs e da uno schema antirimbalzo opzionale. Quest’ultimo consente di evitare falsi positivi negli ambienti più difficili per la com- patibilità elettromagnetica (EMC). A ulteriore miglioramento del suo valore aggiunto, il sensoreMLX91235 include anche un meccanismo di feedback della temperatura a 10 bit, il quale consente unamisura accurata della temperatura di giunzione che viene trasmessa attraverso un’uscita SPI ad alta velocità. Il sensore MLX91235 è conforme alla norma ISO 26262 a li- vello ASIL B SEoOC (Safety Element out of Context). Oltre a soddisfare i requisiti ASIL B, esso incorpora anche una sofi- sticata funzione di autotest integrata che può essere attivata tramite interfaccia SPI che consente al sensore di segnala- re informazioni critiche come temperatura, sotto-tensione e sollecitazioni meccaniche. In particolare, diversamente dalla diagnostica convenzionale, questa funzionalità com- prende l’intera catena del segnale, fino alla MCU dell’appli- cazione che legge i segnali del sensore. Ulteriori informazioni sono disponibili all’indirizzo: www. melexis.com/MLX91235 .