EO523

EO POWER - GENNAIO/FEBBRAIO 2025 IV Power RBA300N10EANS e RBA300N10EHPF sono disponibili in package TOLL e TOLG, standard nel settore, compatibili pin per pin con i dispositivi di altri produttori, e 50% più piccoli rispetto ai tradizionali package TO-263. Il package TOLL offre anche lati saldabili (wettable flanks) per l’ispe- zione ottica. Renesas ha associato i nuovi MOSFET con numerosi di- spositivi compatibili del proprio portafoglio per offrire un’ampia gamma di Winning Combinations, tra cui Piat- taforma di mobilità a 48V e Unità per Veicoli Elettrici 3-in-1: Inverter, Caricabatterie a Bordo, Convertitore DC/DC . Maggiori informazioni su queste combinazioni sono disponibili all’indirizzo: www.renesas.com/win . I MOSFET RBA300N10EANS e RBA300N10EHPF sono at- tualmente forniti in volumi: Renesas offre anche un pro- getto di riferimento con application note per aiutare i clienti a ridurre i tempi di progettazione. Maggiori infor- mazioni riguardo questi nuovi prodotti si trovano sul sito www.renesas.com/MOSFET . Renesas Electronics ha annunciato l’introduzione di nuovi MOSFET ad alta potenza, a canale N, in grado di supportare tensioni fino a 100 V in grado di assicurare elevate presta- zioni per quanto riguarda la commutazione ad alta corrente. Si tratta di una caratteristica fondamentale per applicazio- ni quali controllo motore, sistemi di gestione delle batterie, gestione alimentazione e ricarica. Tra le applicazioni tipiche si possono annoverare veicoli elettrici, biciclette elettriche, stazioni di ricarica, utensili elettrici, data center, gruppi di continuità (UPS) e molte altre ancora. Renesas ha sviluppato un nuovo processo produttivo per i wafer MOSFET (REXFET-1) che consente ai nuovi dispo- sitivi di ridurre drasticamente, del 30%, la “on-resistan- ce” (ovvero la resistenza situata tra drain e source quando il MOSFET è accesso). La minore resistenza in stato “on” contribuisce a ridurre notevolmente la perdita di potenza. Il processo REXFET-1 permette inoltre ai nuovi MOSFET di garantire una riduzione del 10% del valore Qg e una di- minuzione del 40% di Qgd. I nuovi MOSFET di Renesas MOSFET ad alte prestazioni in package ridotto Emanuele Dal Lago I nuovi MOSFET RBA300N10EANS e RBA300N10EHPF di Renesas sono realizzati con il processo REXFET-1 che assicura una riduzione del 30% della on-resistance