EO523

COVER STORY Fig. 1 – TRCDRIVE pack™ è un modulo compatto ad alta densità di corrente con funzionalità di dissipazione del calore su un lato, sviluppato per il controllo degli inverter di trazione e basato su tecnologia proprietaria di ROHM (Fonte: ROHM Semiconductor) produttive di ROHM, le generazioni precedenti continue- ranno a essere prodotte. A seconda del ciclo di vita dei prodotti, ciò significa che sarà comunque possibile sod- disfare i requisiti di disponibilità dei componenti per le applicazioni industriali a lungo termine. ROHM adotta l’approccio “brownfield” per garantire il successo nella realizzazione dei nuovi prodotti. Gra- zie alla conversione e all’ammodernamento degli sta- bilimenti esistenti, come quello di Miyazaki, la produ- zione di substrati da 8 pollici è prevista per iniziare già nell’anno in corso. In questo modo si riducono i tempi di costruzione degli stabilimenti di produzione di due anni rispetto a un nuovo edificio, poiché si possono riutilizza- re le infrastrutture esistenti. ROHM sarà quindi in grado di incrementare la produzione di moduli di un fattore 30 rispetto agli alloggiamenti con moduli SiC tradizionali. Per la produzione si utilizzeranno substrati da 8 pollici di quinta generazione di MOSFET SiC, incrementando così notevolmente le capacità produttive. Oltre a ciò, ROHM e Toshiba hanno annunciato una co- operazione finalizzata alla produzione di semicondut- tori di potenza. Il Ministero giapponese dell’Economia, Commercio e Industria (METI) sostiene questo piano, il cui obiettivo è garantire una fornitura di semiconduttori stabile e sicura. Entrambe le aziende stanno investendo in modo massiccio nella produzione di semicondutto- ri di potenza al carburo di silicio (SiC) e al silicio (Si) con l’obiettivo di potenziare le proprie capacità di approvvi- gionamento, oltre che di sfruttare al meglio le rispettive capacità produttive. SiC: componente chiave nel campo della mobilità elettrica La vera sfida per i componenti di potenza SiC è quella di assicurare bassi livelli di perdite pur mantenendo di- mensioni compatte. ROHM risponde a questa esigenza con il suo TRCDRIVE pack™. TRCDRIVE pack™ è un marchio di fabbrica per i moduli SiC di ROHM, appositamente sviluppati per l’uso in in- verter di trazione e caratterizzati da dimensioni ridotte grazie a una struttura esclusiva che massimizza la su- perficie di dissipazione del calore. L’uso dei MOSFET SiC di quarta generazione di ROHM con bassa resistenza di ON consente di ottenere una densità di potenza ai verti- ci del settore, 1,5 volte superiore a quella dei moduli SiC tradizionali. Al contempo, contribuisce in modo signi- ficativo alla miniaturizzazione degli inverter nei veicoli elettrici (xEV). I moduli TRCDRIVE pack di ROHM sono di tipo half-bri- dge, dotati di FET SiC di 4° generazione (Fig. 1). Proget- tati per offrire un’alta densità di corrente, questi modu- li assicurano basse perdite per commutazione. Questi moduli supportano il settore automotive accelerando il cambiamento tecnologico e fornendo sistemi di trazione ultra-efficienti. Il TRCDRIVE pack™ è sinonimo di prestazioni eccellenti. L’alloggiamento altamente termoconduttivo dal design “one-sided” garantisce facilità di installazione e un’ele- vata densità di corrente. La struttura interna ottimizzata consente di ottenere un’induttanza molto bassa, di appe- na 5,7 nH. Ciò è reso possibile da una struttura con busbar a due strati, che ottimizza il percorso della corrente. Gra- zie a una resistenza di ON (RDS (on) ) molto bassa, è possibi- le raggiungere valori di densità di corrente di 19,1 ampere/ cm², ai vertici del settore. I moduli sono disponibili per tensioni di 750 V e 1.200 V. Con livelli di potenza fino a 300 kW e un’eccezionale densità di potenza, il modulo contribuisce a soddisfare i principali requisiti richiesti dagli inverter di trazione sotto il profilo della miniaturizzazione, dell’efficienza e dei costi di sviluppo. I moduli sono dotati di morsetti per i segnali di controllo con pin di tipo press-fit, che possono essere semplicemente inseriti dall’alto nella scheda del gate driver. ELETTRONICA OGGI 523 - GENNAIO/FEBBRAIO 2025 11