EO 521

POWER SIC MOSFETS Per far fronte alle esigenze del mercato, che richiede soluzioni caratterizzate da dimensioni sempre più compatte e alle pressioni esercitate sui progettisti per migliorare l’efficienza energetica, i MOSFET in carburo di silicio si stanno imponendo come una valida alternativa per queste applicazioni alle esigenze del mercato, che richiede soluzioni carat- terizzate da dimensioni sempre più compatte e dall’al- tro alle pressioni esercitate sui progettisti per migliorare l’efficienza energetica, i MOSFET in carburo di silicio (SiC – Silicon Carbide) si stanno imponendo come una valida alternativa per queste applicazioni. Come accade per i tradizionali MOSFET in silicio, le ca- ratteristiche operative e le prestazioni dei MOSFET SiC dipendono dalla progettazione del circuito di pilotaggio del gate (gate driver), responsabile dell’accensione (turn on) e dello spegnimento (turn off) del dispositivo. In ogni caso, le caratteristiche specifiche del carburo di silicio impongono una selezione accurata sia del MOSFET sia del circuito di pilotaggio del gate al fine di garantire che i re- quisiti dell’applicazione siano soddisfatti in modo sicuro e i livelli di efficienza risultino ottimizzati. In questo ar- ticolo verranno discussi i criteri da prendere in conside- razione nella scelta di un gate driver per un MOSFET SiC. Nelle applicazioni tipiche dell’elettronica di potenza, come per esempio gruppi di continuità (UPS – Uninter- ruptible Power Supply), pompe, azionamenti industriali e veicoli elettrici (EV – Electric Vehicle), IGBT e MOSFET in silicio sono stati senza dubbio i componenti più am- piamente utilizzati. Tuttavia, per far fronte da un lato Gate driver ottimizzati per incrementare le prestazioni dei MOSFET SiC Bob Card Marketing Manager onsemi ELETTRONICA OGGI 521 - OTTOBRE 2024 43