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PUBBLICITÀ r e c o m - p o w e r . c o m / 3 d p p 4.0 mm 5.0 mm E’ IL PIU’ PICCOLO IN COMMERCIO! RECOM– SOLUZIONE PERFETTA PER APLLICAZIONI COME: PORTE “COM” ISOLATE, IOT E ALIMENTAZIONE ISOLATA DEI SENSORI R05C1TF05S - soluzione compatta ad alta densità di potenza da 1W 12 th - 15 th NOVEMBER | BOOTH A4-302 TECH INSIGHT PRIMO PIANO MOSFET a canale N da 150 V Emanuele Dal Lago Toshiba Electronics Europe ha annunciato nuovi MOSFET di potenza a canale N da 150 V basati sul processo U-MOS XH Trench di ultima generazione. I dispositivi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono progettati specificamente per l’utiliz- zo negli alimentatori a commutazioni ad alte prestazioni, come quelli utilizzati nei data center e nelle stazioni base di comunicazione, nonché in altre applicazioni industriali. Con una tensione massima al drain-source (V DSS ) di 150 V e una corrente di drain (I D ) supportata di 49 A (TPH1100CQ5) e 32 A (TPH1400CQ5), i nuovi dispositivi sono dotati di una resistenza massima di drain-source in conduzione (R DS(ON) ) rispettivamente di 11 mΩ e 14 mΩ. I nuovi prodotti si distinguono per caratteristiche di recu- pero inverso migliorate, fondamentali nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono. Nel caso di TPH1400CQ5, la ca- rica di recupero inverso (Qrr) è ridotta di circa il 73% a 27 nC (tipico) e il tempo di recupero inverso (trr) di 36 ns (ti- pico) è circa il 45% più veloce rispetto a quello dell’attuale TPH1400CQH di Toshiba, che offre gli stessi valori di ten- sione e di R DS(ON) . Utilizzato in applicazioni di raddrizza- mento sincrono, TPH1400CQ5 riduce la perdita di potenza degli alimentatori a commutazione e contribuisce amiglio- rare l’efficienza. Se il dispositivo viene utilizzato in un cir- cuito che non funziona in modalità di ripristino inverso, la perdita di potenza è equivalente a quella del TPH1400CQH. Se utilizzati in un circuito che funziona inmodalità di recu- pero inverso, i nuovi prodotti riducono le tensioni di picco generate durante la commutazione, contribuendo amiglio- rare le caratteristiche EMI dei progetti e riducendo la ne- cessità di filtraggio esterno. I dispositivi sono alloggiati in un package SOP Advance(N) versatile a montaggio superfi- ciale che misura soli 4,9 mm x 6,1 mm x 1,0 mm. Per supportare i progettisti, Toshiba ha sviluppato un mo- dello G0 SPICE per una rapida verifica delle funzioni del circuito, oltre ai modelli G2 SPICE altamente accurati, che riproducono in modo accurato le caratteristiche in transi- torio. Per ulteriori informazioni sui MOSFET di potenza a canale N TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 da 150 V, è possibile visitare i seguenti siti: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semicon- ductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail. TPH1100CQ5.html https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semicon- ductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail. TPH1400CQ5.html Toshiba ha ampliato la linea di MOSFET U-MOS X-H a canale N da 150 V che permettono di ridurre il consumo energetico degli alimentatori