EO 520

(Fig. 3) integra una nuova funzionalità di monitorag- gio della V GTH in cui il driver del gate controlla lo stato di salute del rispettivo interruttore di potenza. L’inte- grazione di questo sistema diagnostico nel driver del gate consente di ridurre le dimensioni, il peso e il co- sto complessivi del sistema rispetto a un’implementa- zione discreta. La funzione di monitoraggio della V GTH misura la ten- sione di soglia del gate del transistor di potenza duran- te l’accensione. Una fonte di corrente costante carica la capacità del gate (C G ) dell’interruttore di potenza, che comporta un aumento graduale della tensione del gate (V G ). Una volta che il canale inizia a condurre, la tensione V G è mantenuta naturalmente al livello della tensione di soglia (V GTH ) mentre l’interruttore di po- tenza è in configurazione al diodo. Dopo un tempo di spegnimento (t dVGTHM ), il convertito- re A/D integrato campiona la VG e memorizza la mi- sura in un registro. Il microcontrollore utilizza questa misura per valutare lo stato di salute dell’interruttore di potenza. Il monitoraggio della V GTH contribuisce a confermare l’affidabilità dello stadio di potenza. Poiché l’elettrificazione dei veicoli è relativamente nuova per i consumatori nel settore automobilisti- co, questi ultimi potrebbero essere preoccupati per la sicurezza e l’affidabilità dei veicoli ibridi o elettrici ANALOG GATE DRIVERS Fig. 3 – Il circuito per il pilotaggio del gate isolato UCC5870-Q1 di Texas Instruments integra una nuova funzionalità di monitoraggio della V GTH come alternativa ai veicoli con motore a combustione interna. L’inclusione di adeguati sistemi interni per diagnosi e protezione contribuisce a garantire che un veicolo sia idoneo per l’immissione sul mercato e l’u- tilizzo su strada. Maggiori informazioni sul pilotaggio di interruttori di potenza con IGBT e SiC sono disponibili sull’e-book: IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals . Datasheet scheda tecnica del driver del gate UCC5870-Q1 . Maggiori informazioni sulla progettazione di driver del gate isolati in un sistema con inverter di trazione sono reperibili nel report applicativo: HEV/EV Traction In- verter Design Guide Using Isolated IGBT and SiC Gate Drivers . Maggiori informazioni sulla progettazione di un inverter di trazione con un’architettura distribuita sono reperibili nell’articolo: Driving Next-Generation EV Systems With a Distributed Architecture . RISORSE SUPPLEMENTARI ELETTRONICA OGGI 520 - SETTEMBRE 2024 30