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TECH INSIGHT FOUNDRIES no attraversare il cristallo come particelle cariche posi- tivamente. Un semiconduttore esterno drogato con un atomo accettore di elettroni è chiamato semiconduttore di “tipo p”, perché la maggior parte dei portatori di ca- rica in un cristallo sono cavità. Un altro test prevede la misura della resistività, che è la proprietà fondamentale per valutare e quantificare la resistenza di un materia- le al flusso di corrente. Una bassa resistività indica che un materiale consente alla corrente di fluire facilmente, viceversa una elevata resistività indica che un materia- le ostacola il flusso di corrente. Un altro test prevede la determinazione della densità dei “micropipe”. Si tratta di microscopici difetti cristallini in un substrato mono- cristallino. Il test è molto utilizzato nei substrati SiC e tali imperfezioni si formano durante la produzione dei mate- riali, in cui i cristalli subiscono stress interni ed esterni, portando alla crescita di difetti nel reticolo atomico. La verifica si effettua utilizzando i microscopi polarizza- tori. Un altro test prevede la valutazione della planarità del wafer, la cui migliore qualità è attestata attraverso un basso valore di tale parametro. Anche questo test è ese- guito mediante i microscopi polarizzatori. Il numero di test è realmente elevato e una successiva verifica prevede la misurazione dello spessore. Esso è un test individuale e lo spessore è misurato per ciascun wafer prodotto. Un ulteriore test, eseguito ai raggi X, è quello della verifica dell’orientamento. I wafer vengono prodotti partendo da cristalli caratterizzati da una struttura cristallina rego- lare. Quando un wafer viene tagliato, la superficie si al- linea secondo una direzione ben precisa. L’orientamento è definito dall’indice di Miller ed è un parametro molto importante, poiché le proprietà elettroniche di molti cri- stalli sono altamente anisotrope, ossia le caratteristiche fisiche (conducibilità elettrica e termica, proprietà otti- che e così via) o il comportamento meccanico (rigidezza, resistenza, tenacità e così via) sono differenti in direzio- ne longitudinale e trasversale. Il parametro misurato è espresso, ovviamente, in gradi. Oggigiorno, le aziende più importanti di produzione pos- sono vantare di tecnologie avanzate per la crescita dei cristalli ed epitassia. Alcune di esse producono i wafer di germanio di prima generazione, all’arseniuro di gallio di seconda generazione per arrivare alla terza generazione con il carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN). L’o- biettivo fondamentale di esse è la massima qualità, fat- tore fondamentale per ottenere non solo le certificazioni ma per offrire prodotti con il più alto grado di purezza possibile. ELETTRONICA OGGI 519 - GIUGNO/LUGLIO 2024 30