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PUBBLICITÀ TECH INSIGHT FOUNDRIES coli, meno complessi ed estremamente robusti e affida- bili. Grazie alla sua elevata conduttività termica, il SiC è il materiale ideale per applicazioni ad alta temperatura e può anche resistere a tensioni di rottura più elevate, ri- sultando adatto per applicazioni ad alta tensione supe- riori a 1.200 V. Il GaN sta superando le soluzioni basate su Si in applicazioni a bassa tensione inferiore a 600 V, come alimentatori o caricabatterie per prodotti di consu- mo, amplificatori audio o sistemi di conversione. Se si ha la necessità di una elevata frequenza di commutazione, il GaN è il materiale attualmente migliore. Con il rafforza- mento delle conoscenze tradizionali e le scoperte di nuo- ve tecniche di fusione, le economie nazionali e regionali traggono tanti benefici e l’incremento di nuovo posti di lavoro professionali, su tale settore, è ormai una realtà ben consolidata. Nella produzione di wafer di cristallo, il primo passaggio critico è la creazione del singolo cri- stallo. Come materia prima si usa il policristallo con una piccola percentuale di drogante, come azoto, vanadio, boro o fosforo. Esso determina le proprietà elettriche e la resistività dei wafer. La procedura è eseguita in un forno sigillato. Dai lingotti vengono eliminate la parte superio- re e quella inferiore; quindi, esso viene tagliato in sezioni più corte che, successivamente, sono tornite al diametro desiderato. La successiva fase prevede la lucidatura dei wafer, che precede la fabbricazione dei dispositivi. Tale fase è effettuata attraverso una prima lappatura gros- solana, poi una lucidatura sottile con metodo chimico e meccanico. Durante la lucidatura, i wafer attraversano alcune fasi di pulizia. Prima del confezionamento finale è necessaria una ispezione approfondita per controllare la presenza di eventuali difetti e imperfezioni. Sul pro- dotto le aziende eseguono un certo numero di test, atti a valutare le caratteristiche finali e il grado di qualità. Una prima verifica consiste nel controllo della rugosità superficiale, ossia il grado di ruvidità che fa parte della struttura superficiale. Il suo valore è quantificato dalla deviazione della direzione vettoriale normale della su- perficie reale rispetto alla sua forma ideale. Se tali valori sono elevati, vuol dire che la superficie è ruvida vicever- sa, se essi sono bassi, la superficie è liscia. Il test viene eseguito con il microscopio atomico. Un successivo test è quello definito “test di tipo”. I semiconduttori droga- ti sono chiamati semiconduttori di “tipo n” perché la maggior parte dei portatori di carica nel cristallo sono elettroni negativi. L’accettore di elettroni drogante è un atomo che riceve elettroni dal reticolo, producendo spazi vuoti in cui gli elettroni sono chiamati buchi che posso- • Trasporto di corrente no a 1000Amps • Tensione no a 1800VDC • Contatti ausiliari opzionali su alcuni modelli ©AdobeStock/malp DC Relè e Contattori progettati per resistere +39 342 1778711 | matteo.dadati@codico.com | www.codico.com/shop CODICO_EO_2023_Italy_Altran_230x140_halbe.qxp_D 11.07.23 18:06 Seite 1