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PUBBLICITÀ TECH INSIGHT PRIMO PIANO EliteSiC MOSFET da 650 V offre prestazioni di commuta- zione superiori eminori capacità del dispositivo, consen- tendo di ottenere maggiore efficienza all’interno dei data center e nei sistemi di accumulo energetico. Rispetto alla generazione precedente, i nuovi MOSFET al carburo di silicio (SiC) hanno una carica di gate dimezzata, con una riduzione del 44% dell’energia immagazzinata sia nella capacità di uscita (Eoss) che nella carica di uscita (Qoss). L’assenza di corrente di coda in fase di spegnimento e le prestazioni superiori a temperature elevate, contri- buiscono inoltre a ridurre significativamente le perdite di commutazione rispetto ai MOSFET a super-giunzio- ne superiore (SJ). Questo consente di contenere le di- mensioni dei componenti del sistema, aumentando la frequenza di funzionamento, con conseguente riduzio- ne complessiva dei costi. D’altra parte, la Famiglia T10 PowerTrench è progettata per gestire correnti elevate, caratteristica cruciale per le fasi di conversione di po- tenza CC-CC, e offre una maggiore densità di potenza e prestazioni termiche superiori in un ingombro com- patto. Questo è possibile grazie a un design a trench con gate schermato, che vanta una carica di gate ultra-bassa e un RDS (on) inferiore a 1 milliohm. Inoltre, il diodo in- trinseco (body diode) a recupero soft e il Qrr più basso 80 anni d’esperienza nell’elettronica con più di 50.000 connettori disponibili! FX26, connettore flottante scheda-scheda ad alte prestazioni per ambienti soggetti a vibrazioni. • Passo di 1 mm e consente un disallineamento di ± 0,7 mm in direzione X e Y • La lunghezza effettiva di accoppiamento è di ± 0,75 mm in direzione Z • Temperatura di: da -40° C a + 140° C • Altezza: 15, 18, 20, 23, 25 mm • Numero di contatti: 20, 30, 40, 50, 60 Email: eu.info.3d@hirose-gl.com www.hirose.com/eu minimizzano efficacemente il ringing, gli overshoot e il rumore elettrico, per garantire prestazioni, affidabilità e robustezza ottimali sotto stress. La Famiglia T10 Power- Trench soddisfa anche gli standard rigorosi richiesti per le applicazioni in ambito automotive. Questa soluzione combinata soddisfa anche la rigoro- sa specifica di base Open Rack V3 (ORV3) richiesta dagli operatori hyperscale per supportare la prossima genera- zione di processori ad alta potenza. Per ulteriori informazioni: • T10 PowerTrench Family • EliteSiC 650V MOSFETs • AI data center solution guide di onsemi • Product recommendation tool di onsemi • Simulazioni con Elite Power Simulator e Self-Service PLECS Model Generator NOTE [1] IEA report, Electricity 2024 [2] Sulla base del consumo annuale di energia elettrica da parte delle famiglie, secondo i dati della U.S. Energy Infor- mation Administration