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tore e l’induttanza distribuita della scheda PCB hanno un impatto si- gnificativo sulle perdite del commu- tatore attivo. La capacità parassita dell’induttore influenza Eon ed Eoff (ovvero le perdite di energia in fase di accensione e spegnimento), con inevitabili ripercussioni sulle per- dite complessive. Oltre a ciò, l’in- duttanza di dispersione della scheda PCB e componenti come gli anelli di ferrite utilizzati per attenuare le interferenze EMI modificano di- mensioni e prestazioni dell’anello di commutazione, influenzando in tal modo le perdite a causa del rallenta- mento della rampa di corrente e del fatto che la tensione può raggiunge- re livelli più bassi. L’uso di un tester DPT rappresenta un metodo efficace per misurare le perdite, soprattutto quando si pun- ta alla precisione con un impatto minimo degli elementi parassiti. Sebbene l’avanzato tester a doppio impulso di onsemi sia utile per con- frontare elementi come le dimen- sioni dei die e dei package, è fonda- mentale comprendere che le perdite nell’ambiente in cui viene effettuato il test non rispecchiano quelle dell’ap- plicazione dell’utente. Gli elementi parassiti dell’appli- cazione specifica dell’utente influenzano notevolmente le perdite reali, rendendo di fatto impossibile la creazio- ne di un nuovo setup per ogni progetto. La simulazione basata sulla modellazione si pone come una valida alternativa a questo metodo basato su misure complesse, che richiede un notevole dispendio di risorse ed è soggetto a numerose limitazioni. Grazie al ricorso alle simulazioni parametriche e a modelli di simulazio- ne estremamente accurati, come i modelli SPICE fisici e scalabili di onsemi, i progettisti che operano nel settore dell’elettronica di potenza possono generare in tempi brevi modelli precisi delle perdite. Semplificando la va- lutazione di molteplici scenari in un’unica esecuzione, queste simulazioni forniscono informazioni dettagliate in tempi più rapidi e in maniera più economica rispetto alle laboriose tecniche di misura. Il tool SSPMG di onsemi include oltre 30 parametri che permettono la messa a punto dei tester DPT per le per- dite di transizione di transizione che vengono utilizzati per ricavare le perdite dei MOSFET SiC dei moduli di po- tenza e dei componenti discreti. Poiché il tool di onsemi prevede un’ampia gamma di scenari e stadi applicativi e consente la modifica delle tensioni di pilotaggio del gate, i progettisti impegnati nel settore dell’elettronica di potenza possono creare in maniera efficiente modelli di perdita PLECS estremamente precisi e personalizzati in base alle loro specifiche applicazioni. Fig. 4 – Schema di un tester DPT Fig. 5 – Scheda di sistema: stadio PFC + stadio conversione DC- DC POWER POWER SIMULATION ELETTRONICA OGGI 518 - MAGGIO 2024 43