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logie avanzate di transistor di potenza WBG, si devono prevedere temperature di esercizio elevate. La commu- tazione dura di tensioni elevate crea velocità di rotazione dv/dt molto elevate, quindi una buona CMTI (Immunità ai transitori di modo comune), una bassa capacità di iso- lamento e un elevato isolamento sono essenziali per una robusta affidabilità di commutazione. L’RxxC2T25S presenta un intervallo di temperatura ope- rativa ambientale da -40 °C a +100 °C con un carico di 1,5 W e fino a +125 °C con un carico di 0,6 W, un’impressio- nante CMTI di ±150 kV/µs, una capacità di isolamento di soli 3,5 pF e un isolamento di 3 kVAC/1 min (valutato an- che per una tensione di picco ripetitiva di ±1.200 VDC). Le uscite sono inoltre completamente protette da cortocir- cuito, sovraccarico e sovratemperatura. Una funzione di blocco della sottotensione fa sì che il pin DC-OK diventi attivo solo dopo che la tensione di ingresso e le tensioni di uscita sono state stabilizzate, quindi questo pin può essere collegato al pin di abilitazione sul gate driver per ga- rantire che le condizioni siano stabili fin dal primo ciclo di commutazione (Fig. 5). In conclusione, RxxC2T25S è la so- luzione che i progettisti stavano aspettando. Un componente SMD robusto, progettato specificamente per le applicazioni di gate driver iso- lato, con tutte le caratteristiche tec- niche che ci si può aspettare e il van- taggio di poter scegliere liberamente le tensioni di uscita per ottenere la massima efficienza dalle soluzioni esistenti e dai progetti futuri. ché l’uscita combinata si trovi nell’intervallo da 18 a 25 V. Ciò consente al progettista di passare facilmente da un fornitore di transistor di potenza di prima e seconda fon- te modificando i valori dei resistori BoM, ma non il design del circuito stampato. Significa anche che se viene rila- sciata una generazione completamente nuova di tran- sistor di potenza con, ad esempio, tensioni di pilotaggio del gate ottimali di +14,5/-3,5 V, la soluzione è a prova di futuro. Infine, le tensioni di uscita sono regolate in modo indipendente, il che è essenziale quando si pilota il gate a tensioni molto vicine ai livelli massimi ass. per ottenere la massima efficienza di commutazione possibile. Quando i livelli di potenza aumentano fino a raggiungere i kilowatt, l’ambiente intorno al driver di gate e all’ali- mentazione del driver di gate diventa più difficile. No- nostante le basse perdite di commutazione delle tecno- Fig. 5 – Soluzione completa di gate driver isolato che utilizza l’RxxC2T25S. R1-R4 impostano le tensioni di uscita COVER STORY RIFERIMENTI [1] Per un’analisi dettagliata della necessità di una tensione di pilo- taggio del gate negativa (anche per i commutatori low side), è possibile fare riferimento al whitepaper “De- signing Robust Transistor Circuits with IGBTs, SIC MOSFETS” disponi- bile sul sito web di RECOM. ELETTRONICA OGGI 518 - MAGGIO 2024 15