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EO POWER - GENNAIO/FEBBRAIO 2024 IX PRIMO PIANO Innoscience Technology ha annunciato una nuova gam- ma di transistor HEMT discreti a bassa tensione ospitati in package FCQFN. La tecnologia “flip chip” facilità l’u- tilizzo dei nuovi dispositivi, proposti nelle versioni a 40 V, 100 V e 150 V. I dispositivi FCQFN con tensione nominale di 40 V sono disponibili con resistenza in stato attivo R DS(on) (on-resi- stance) di 4,3 mΩ (formato chip 3x4 mm). Gli HEMT da 100 V vengono proposti con valori R DS(on) di 2,8 mΩ (3 x 5 mm) e 1,8 mΩ (4x6 mm), mentre i componenti da 150 V nel formato 4 x 6 mm sono disponibili con R DS(on) di 3,9 mΩ e 7 mΩ. I componenti da 40 V che usano i processi GaN più avan- zati di Innoscience garatiscono elevate prestazioni grazie alle eccellenti figure di merito (FOM - Figure-of-Merit) come Q gg *R on e I dss *R on . Le basse correnti di perdita sul drain e sul gate consen- tono l’uso di questi componenti nel settore dei dispositi- vi mobili e in applicazioni con collegamento diretto alla batteria. Un’altra applicazione sono i convertitori Buck Boost USB Tipo C nei laptop. Inoltre, con il suo processo Famiglia di HEMT a bassa tensione in package QFN flip chip Emanuele Dal Lago I nuovi transistor discreti in package FCQFN possono essere montati su una scheda PCB utilizzando apparecchiature e processi di assemblaggio standard di nuova generazione, Innoscience mantiene un control- lo molto stretto dell’epitassi, assicurando valori di soglia di tensione e on-resistance molto uniformi, che si tradu- cono in un’altissima resa dei wafer. I dispositivi da 100 V sono idonei per la conversione c.c./ c.c. con potenze fino a 2 kW, grazie alla loro bassissima on-resistance. In configurazione parallela si possono raggiungere potenze fino a 8 kW. I nuovi modelli da 150 V sono destinati ad applicazio- ni industriali fra cui gli impianti solari. Sono progettati nell’ottica della robustezza in modo da non dover ricor- rere al derating dell’80% standard (cioè, sono qualifica- ti e possono esser utilizzati al 100% della loro tensione). Tutti i nuovi HEMT da 40 V, 100 V e 150 V hanno superato i test previsti dalle norme JEDEC e JEP 180 specifiche per il GaN. Un ultimo aspetto da sottolineare è che gli HEMT a 100 V da 1.8 mΩ sono compatibili pin-per-pin con i nuovi com- ponenti a 150 V da 3.9 mΩ e 7 mΩ, poiché tutti hanno un packaging FCQFN da 4x6 mm, assicurando grande flessi- bilità in fase di progettazione.