EO 515

DIGITAL FLASH MEMORIES 10 μA. Quando il sistema è configurato per sfruttare la modalità “deep power-down”, il consumo della Flash è di soli 100 nA. Tempi di programmazione/cancellazione più rapidi riducono il consumo di energia attiva La terza tappa evolutiva dei prodotti NOR Flash SPI di più recente introduzione è la riduzione del tempo ne- cessario per programmare e cancellare pagine, blocchi o l’intero dispositivo. Ciò presenta un vantaggio impor- tante per i produttori, poiché riduce sostanzialmente il tempo necessario per programmare i prodotti sulla linea di assemblaggio e quindi aumenta la produttivi- tà. Nella serie GD25UF, il tempo di programmazione del byte singolo è di 50 µs, mentre il tempo di programma- zione del byte aggiuntivo dopo il primo byte è di soli 2,5 µs. I dispositivi garantisco il tempo di programmazione delle pagine più veloce del settore, pari a 0,4 ms. Anche i tempi di cancellazione sono rapidissimi: 120 ms per un blocco da 32 kbyte e solo 20 secondi per un intero chip da 64 Mbit. Oltre ad aumentare l’efficienza produttiva, questi tem- pi rapidi di programmazione/cancellazione aiutano a ridurre il consumo energetico medio, in quanto la cor- rente in modalità attiva completa deve essere fornita al chip per un periodo più breve per ciascun evento di pro- grammazione/cancellazione. L’evoluzione del mercato delle NOR Flash SPI: prestazioni più elevate e consumi inferiori Man mano che la tecnologia di fabbricazione dei semi- conduttori avanza verso i nodi da 1 nm aumenterà la domanda per circuiti integrati di memoria flash esterni in grado di supportare la tensione del core di 1,2 V alla quale operano i SoC costruiti mediante i nodi avanzati. Il mercato dei Flash IC sta rispondendo con l’introduzio- ne di un’ampia gamma di prodotti a 1,2 V, l’aggiunta di nuove funzionalità e il miglioramento delle specifiche. Questa tendenza si riflette con l’introduzione da par- te di GigaDevice della serie GD25UF, disponibile con densità di 64 Mbit e 128 Mbit e con versioni da 32 Mbit e 256 Mbit in fase di sviluppo. I package disponibili sono USON8 (3 mm x 4 mm), USON8 (4 mm x 4 mm), WSON (6 mm x 5 mm), SOP8 208mil e WLCSP (Fig. 3). GigaDevi- ce può anche fornire le memorie GD25UF sottoforma di KGD (known good die). Fig. 3 – L’integrato di memoria flash GD25UF da 1,2 V di GigaDevice è disponibile in varie opzioni di package ELETTRONICA OGGI 515 - GENNAIO/FEBBRAIO 2024 46