EO 515

Power Circuiti integrati per interruttori di carico Littelfuse ha annunciato cinque nuove versioni dei pro- pri circuiti integrati di per la commutazione del carico: si tratta di commutatori di carico estremamente efficienti da 2 e 4 A con blocco della corrente inversa (TRCB – True Reverse Curren Blocking) e controllo della velocità di variazione. La loro efficienza li rende ideali per l’uso in dispositivi elettronici di consumo mobili e indossabili. Archiviazione su SSD, IoT (Internet of Things) e automa- zione degli edifici sono altre applicazioni tipiche. I bassis- simi valori di corrente di quiescenza (IQ), RON e corrente di spegnimento (ISD) contribuiscono a ridurre la corrente di dispersione parassita, migliorare l’efficienza del sistema e aumentare la durata complessiva della batteria. I dispo- sitivi introdotti, disponibili in package WLCSP, sono i se- guenti: LQ05021QCS4 - 5 V, 2 A con controllo della velocità di variazione, LQ05021RCS4 - 5 V, 2 A con blocco della corrente inversa, LQ05022QCS4 - 5 V, 2 A con controllo della velocità di variazione, LQ05041QCS6 - 5 V, 4 A, con controllo della velocità di variazione e LQ05041RCS6 - 5 V, 4 A con blocco della corren- te inversa. Chipset convertitore per USB-C PD Infineon ha annunciato EZ-PD PAG2, un chipset convertitore ZVS flyback. Questo chipset, che comprende i chip EZ-PD PAG2P e EZ-PD PAG2S, integra USB PD, un raddrizzatore sincrono e un controller PWM. È particolarmente interessante per realizzare adattatori USB-C, caricabatterie e adattatori da viaggio ad alta efficienza. La famiglia EZ-PD PAG2 offre il power range standard PD 3.1 (SPR) con alimentatore programmabile (PPS) e il power range esteso a 28 V (EPR). Adatto per un’ampia gamma di potenze, il chipset è compatibile con BC v1.2, AFC, ricarica Apple e QC5.0, e dispone del supporto di ingresso di linea CA da 90 a 265 V CA. Tra le caratteristiche c’è anche il soft-start programmabile, utilizzando un condensatore SS esterno, che permette accensioni controllate e modalità DCM, CrCM e CCM, nonché le modalità burst e skip per diverse condizioni di carico. Circuiti integrati per stadi di potenza La serie BM3G0xx- MUV-LB di IC per stadi di potenza GaN, realizzata da ROHM , è utilizza- bile per gli alimen- tatori primari desti- nati ad applicazioni industriali e di con- sumo, come server dati e adattatori AC. Le peculiarità di questi componenti sono l’integrazione dei gate driver, la notevole compattezza che favorisce la miniaturizzazione delle applicazioni e la perdita di po- tenza ridotta. Il range della tensione di pilotaggio, che va da 2,5 V a 30 V, e le altre caratteristiche assicurano la compatibilità pra- ticamente con qualsiasi circuito integrato per controller negli alimentatori primari, semplificando la sostituzio- ne dei MOSFET al silicio esistenti (Super Junction). In tal modo diventa infatti possibile ridurre simultaneamente il volume dei componenti e la perdita di potenza, rispet- tivamente del 99% e del 55% circa, ottenendo una mag- giore efficienza con dimensioni più ridotte. MOSFET SiC da 2200V Toshiba ha realizzato un nuovo MOSFET SiC da 2200V con diodo a barriera Schottky (SBD) integrato. Questi compo- nenti sono utilizzabili per applicazioni a 1500V DC come, per esempio, gli inverter fotovoltaici, i caricabatterie per i veicoli elettrici, i convertitori DC/DC ad alta frequenza e i sistemi di accumulo dell’energia. Il nuovo modulo MOSFET dual SiC MG250YD2YMS3 è ca- ratterizzato da una tensione nominale di 2200V ed è in grado di supportare una corrente di drain continua (ID) di 250A, con 500A in funzionamento pulsato (IDP). La ten- sione di isolamento è pari a 4000Vrms e il dispositivo può funzionare con temperature di canale (Tch) fino a 150°C. Il dispositivo of- fre una bassa per- dita di conduzio- ne con un valore tipico di tensione di on di 0,7V. An- che le perdite di commut a z i one sono state ridotte al minimo. EO POWER - GENNAIO/FEBBRAIO 2024 XXXIV