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POWER SIC MOSFETS Tecnologia EliteSiCM3S: la scelta migliore per le applicazioni di commutazione ad alta velocità Fatih Cetindag Applications Engineer - Automotive Power Division onsemi In questo articolo saranno analizzati i risultati dei test di caratterizzazione dei dispositivi e delle simulazioni eseguite su convertitori con PFC (Power Factor Correction) trifase realizzati utilizzando due differenti MOSFET SiC in package TO247-4L no nel campo dell’elettronica di potenza per sviluppare convertitori di potenza più efficienti caratterizzati da una densità di potenza superiore rispetto ai progetti basati su IGBT in silicio. In applicazioni di questo tipo, per mini- mizzare le perdite di conduzione e di commutazione, è necessario ricorrere a dispositivi caratterizzati da bassi valori di R DS(on) e da una ridotta Q rr (carica di recupero in- versa) del diodo intrinseco (body diode). In questo articolo saranno analizzati i risultati dei test di caratterizzazione dei dispositivi e alle simulazioni ese- guite su convertitori con PFC (Power Factor Correction) trifase realizzati utilizzando due differenti MOSFET SiC in package TO247-4L. Uno dei dispositivi testati appar- tiene alla nuova famiglia EliteSiC M3S di onsemi , otti- mizzato per garantire basse perdite di commutazione, Rispetto al silicio (Si), il carburo di silicio (SiC) può van- tare un’intensità di campo che provoca la rottura del die- lettrico molto maggiore, una banda proibita più ampia e una migliore conducibilità termica: tutte queste pro- prietà possono essere sfruttate dai progettisti che opera- Parametro NVH4L022N120M3S Concorrente A R DS(on) a 18V V GS , 25°C (tip.) 22 mΩ 19 mΩ C iss (tip.) a 0V V GS , f R =1 MHz, V DS =800V 3175 pF 3460 pF C oss (tip.) a 0V V GS , f R =1MHz, V DS =800V 146 pF 159 pF C rss (tip.) a 0V V GS , f R =1MHz, V DS =800V 14 pF 23 pF Resistenza di gate interna (tip.) 1,5 Ω 1,8 Ω Caduta di tensione del diodo intrinseco (tip.) 4,5 V 3,8 V Tab. 1 – Informazioni riportate sui datasheet dei due dispositivi sottoposti a collaudo ELETTRONICA OGGI 514 - NOVEMBRE/DICEMBRE 2023 37