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EO POWER - SETTEMBRE 2023 VII PRIMO PIANO La struttura dei nuovi IGBT di Nexperia, realizzati sfrut- tando la tecnologia CSTG (Carrier-Stored Trench Gate) con FS (Field Stop), assicura basse perdite (sia di conduzione sia di commutazione) e un’elevata robustezza a temperature fino a 175 °C. I progettisti possono scegliere tra due op- zioni: medium speed (M3) e high speed (H3). Questi IGBT sono stati progettati con distribuzione dei parametri molto stringente, in modo da garantire il collegamento in paral- lelo di parecchi dispositivi. La ridotta resistenza termica permette a questi IGBT di fornire una maggiore potenza in uscita. I diodi di recupero inverso consentono l’uso dei nuo- vi IGBT in applicazioni quali rettificatori e circuiti bi-dire- zionali, oppure per la protezione contro sovracorrenti. Gli IGBT sono disponibili in package TO247-3L standard e sono qualificati HV-H3TRB per applicazioni all’aperto. Nexperia ha anche annunciato l’intenzione di realizzare una serie I nuovi IGBT da 600 V di Nexperia vanno a completare la gamma di dispositivi di commutazione ad ampio bandgap e CMOS della società Allegro MicroSystems ha annunciato l’introduzione di un nuovo gate driver isolato della linea Power-Thru. Identificato dalla sigla AHV85110, questo dispositivo è in grado di pilotare transistor FETGaN (innitruro di gallio) garantendo un ingom- bro ridotto fino al 50% e un miglioramento dell’efficienza del 40%rispetto ad analoghi prodotti disponibili sul mercato. Le applicazioni nel settore dell’energia pulita richiedono la possibilità di generare, immagazzinare e utilizzare l’energia in modopiùefficiente. I transistor aeffettodi campo (FET) realiz- zati consemiconduttori adelevatabandaproibita (WBG–Wide Bandgap), come carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN), offrono evidenti vantaggi in termini di efficienza a livellodi si- stema,ma spessopresentanoproblemi di integrazione. La soluzione tradizionale per pilotare il gate di un transistor di potenza richiede un gate driver isolato e una sorgente di ali- mentazione isolata separata. Una volta assemblati, i collega- menti tra ildriver, lasorgentedi alimentazionee ilFETpossono Gate driver isolati per il pilotaggio di FET GaN Alessandro Nobile generare rumore indesiderato e creare percorsi di interferenza elettromagnetica (EMI) chepossonopenalizzare leprestazioni. L’attenuazionedi questi effetti può contribuire adaumentare la complessità, il costoe i tempi di progetto, nonché riflettersi ne- gativamente sulle dimensioni e sul peso della soluzionefinale. Il gate driver Power-Thru (AHV85110) di Allegro consente ai progettisti di sfruttare facilmente le più recenti ed efficien- ti tecnologie di pilotaggio dei gate isolati ad alta potenza, che offrono molteplici vantaggi a livello di sistema. Di concezione innovativa, il nuovo gate driver combina componenti tradi- zionalmente separati – il gate driver isolato e l’alimentazione isolata - in un unico dispositivo compatto e robusto. In questo modo è possibileminimizzare i percorsi che danno luogo a in- terferenzeEMI esemplificare l’integrazione, contutti i vantag- gi checiòcomporta: accelerazionedel time tomarket, aumento dell’efficienza e riduzione dei costi di produzione. Rispetto ad altre soluzioni, la tecnologia esclusiva Power-Thru di Allegro consente di: • Fornire piùpotenza e inmodopiù efficiente, riducendo gli in- gombri del 50% • Ridurre il numero componenti della BOM e i costi di produ- zione • Eliminare i circuiti di bootstrap e le alimentazioni isolate, ri- ducendo al minimo la capacità di modo comune, inmodo da semplificare la progettazione dei filtri EMI e migliorare l’ef- ficienza complessiva • Offrire un processo di progettazione affidabile e scalabile tra le varie piattaforme, eliminando la necessità di riprogettare completamente unmodulo di alimentazione quando si lavo- ra conpiù fornitori di FETGaN Ulteriori informazioni sul gate driver AHV85110 Power-Thru sono disponibili all’indirizzo: www.allegromicro.com/en/products/motor-drivers/ga- te-drivers/ahv85110 di IGBT da 1.200 V. Maggiori informazioni sono disponibili all’indirizzo: https://www.nexperia.com/igbts . Il nuovo gate driver isolato AHV85110di Allegro MicroSystems è ingrado di pilotare transistor FETGaN garantendo un ingombro ridotto fino al 50%e unmiglioramento dell’efficienza del 40%