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IN QUESTO NUMERO III Mercati/Attualità VI Dispositivi SiC da 1200 V per migliorare l’efficienza di EV e infrastrutture energetiche - Alessandro Nobile VI IGBT discreti da 600 V in grado di operare fino a 175 °C - Emanuele Dal Lago VII Gate driver isolati per il pilotaggio di FET GaN - Alessandro Nobile VIII I moduli MOSFET SiC compatti semplificano l’integrazione del sistema di ricarica dei veicoli elettrici negli impianti fotovoltaici - C. Felgemacher, M. Jankovic, C. Fuentes, J. Hüskens, A. Thamm XIII In connessione, tra tradizione e innovazione - Antonella Pellegrini XVIII Convertitori DC/DC in fattore di forma MicroModule - Timur Uludag XXII Ricarica dei veicoli elettrici: alcune domande chiave - Florent Balboni XXV Come integrare gli stadi di potenza GaN per sistemi di azionamento di motori BLDC efficienti alimentati a batteria - Rolf Horn XXXI Alimentatori multipla uscita: ci sono vantaggi nell’avere un isolamento tra le tensioni di uscita? - Rob Hutton XXXIV News MODULI SIC PER INTEGRARE IL SISTEMA DI RICARICA DEGLI EV NEGLI IMPIANTI PV