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TECH FOCUS MEMORIES Samsung ha affrontato i problemi legati alle esigenze di elevate prestazioni da parte dei sistemi per applicazioni AI e relativi consumi energetici con soluzioni come le tecno- logie PIM (Processing-in-Memory) e PNM (Processing-ne- ar-Memory). La tecnologia PIM migliora le prestazioni e l’efficienza energetica scaricando parte del lavoro di calcolo dei dati dal processore all’interno della memoria. Nei sistemi sen- za PIM, il processore richiama ed esegue i comandi dalla memoria e salva i risultati nella memoria. Ciò richiede lo spostamento di grandi quantità di dati, il che comporta, fra l’altro, anche molta più energia rispetto alla sola ela- borazione dei dati. La tecnologia PIM, implementando l’e- laborazione direttamente nella DRAM, ottimizza questo processo riducendo lo spostamento dei dati tra CPU e me- moria, migliorando le prestazioni e l’efficienza energetica del sistema Samsung, inoltre, ha recentemente annunciato lo svilup- po della prima DRAM da 128 GB per supportare Compute Express Link (CXL) 2.0. La tecnologia CXL può mitigare gli effetti del fenomeno conosciuto come “memory wall” in cui il tasso di miglioramento delle prestazioni del micro- processori supera di gran lunga il tasso di miglioramento della velocità della memoria DRAM. L’aggiunta di core nei processori rappresenta solo una parte per la risoluzione di molte sfide di elaborazione delle applicazioni, ma ne pone anche altre. Nella maggior parte dei casi infatti è essen- ziale avere una larghezza di banda della memoria ade- guata per fornire dati a tutti questi core del processore. I fornitori di CPU hanno tentato di mitigare il problema ag- giungendo più canali di memoria e aumentando la velocità dei dati di quei canali nelle CPU di nuova generazione, ma serve anche altro. CXL è un’interfaccia che aggiunge efficienza ad accelera- tori, DRAM e dispositivi di archiviazione utilizzati con le CPU nei sistemi server ad alte prestazioni. Basandosi sullo sviluppo della prima DRAM CXL basata su CXL 1.1, l’intro- duzione della DRAM CXL da 128 GB basata su CXL 2.0 do- vrebbe accelerare la commercializzazione delle soluzioni di memoria di nuova generazione. La nuova DRAM CXL supporta l’interfaccia PCle 5.0 e fornisce una larghezza di banda fino a 35 GB al secondo. La versione CXL 2.0 suppor- ta inoltre il memory pooling, una tecnica di gestione della memoria che collega più blocchi di memoria CXL su una piattaforma server per formare un pool e consente agli host di allocare dinamicamente la memoria dal pool se- condo necessità. Questa tecnologia consente di massimiz- zare l’efficienza riducendo al contempo i costi operativi. Samsung prevede di iniziare la produzione di massa di SK hynix ha sviluppato e consegnato i primi esemplari di queste memorie HBM3 a 12 strati con capacità di 24 GB La tecnologia PIM riduce lo spostamento dei dati tra CPU e memoria, migliorando le prestazioni ma anche l’efficienza energetica ELETTRONICA OGGI 512 - SETTEMBRE 2023 43