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EO POWER - OTTOBRE 2022 X Power MOSFET SiC di quarta generazione in PFC totempole per SMPS ad alte prestazioni Abdelmouneim Charkaoui Application Engineer Christian Felgemacher Department Manager Application and Technical Solution Center Jochen Hüskens Senior Application Marketing Manager Felipe Filsecker Group Manager Application Engineer ROHM Questo articolo presenta un kit di valutazione compatto per dimostrare le elevate prestazioni della quarta generazione di MOSFET SiC di ROHM in un PFC totem pole all’avanguardia. Oltre a mostrare i dati relativi alle prestazioni chiave, come le misurazioni dell’efficienza, questo lavoro descrive alcune criticità progettuali della topologia in questione e come sono state affrontate per ottenere un PFC con ingresso universale La topologia PFC totem pole (TP-PFC) di per sé è già stata discussa in diversi articoli in passato, per esempio in que- sta rivista in [1]. Con la disponibilità dei semiconduttori WBG che presentano body diode altamente performanti, questa soluzione diventa molto interessante. Il suo van- taggio principale rispetto ad un PFC boost tradizionale è che elimina il raddrizzamento di frequenze basse e la per- dita di potenza associate alla caduta diretta di un raddriz- zatore da 50 Hz. È pertanto possibile ottenere efficienze oltre il 98% e, impiegando uno stadio secondario idoneo con efficienza simile, è possibile raggiungere l’obiettivo di efficienza della certificazione 80+ Titanium. La figura 1 riporta il kit di valutazione (EVK) che imple- menta un TP-PFC con corrente di ingresso nominale di 16 A insieme ad alcune specifiche di progetto. I dispositivi chiave impiegati in questa scheda sono evidenziati nella figura 1. Oltre ai MOSFET SiC di quarta generazione, questo progetto utilizza i MOSFET SJ Si di ROHM nonché i gate driver BM61S41/BM61M41 e altri componenti di ROHM, come i resistori di shunt e il regolatore di commutazione Fig. 1a – EVK TP-PFC