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EO POWER - OTTOBRE 2022 IV Infineon amplia la base dei suoi fornitori per i wafer SiC Infineon Technologies e II-VI Incorporated hanno firmato un accordo di fornitura plu- riennale per wafer in carburo di silicio (SiC). Con questa ope- razione Infineon si assicura un ulteriore accesso a questo ma- teriale strategico per soddisfare il forte aumento della domanda dei clienti in quest’area. L’ac- cordo supporta anche la strate- gia multi-sourcing di Infineon e ne aumenta la resilienza della catena di approvvigionamento. Le prime consegne sono già state effettuate. Angelique van der Burg, Chief Procurement Officer di In- fineon, ha sottolineato che i semiconduttori SiC sono par- ticolarmente importanti perché stabiliscono nuovi stan- dard in termini di densità di potenza ed efficienza e che Infineon li sta utilizzando per realizzare la sua strategia di decarbonizzazione e digitalizzazione. Il nuovo Centro di Eccellenza di EPC a Torino EPC ha aper- to a Torino un nuovo centro applicativo di progettazione spec i a l i z z ato nelle tecnologie di pilotaggio dei motori elettrici basate su GaN e destinate ai mercati della mobilità elettrica, della robotica, dei droni e dell’automazione industriale. Il team di specialisti della multinazionale americana aiu- terà i clienti a ridurre i tempi del ciclo di progettazione e ad adottare i dispositivi elettronici in GaN per realizzare si- stemi più efficienti, più piccoli e più economici. Inoltre, il Centro di Eccellenza sperimenterà diversemoda- lità innovative per sfruttare il potenziale offerto dalla tec- nologia GaN di EPC nelle applicazioni di azionamento dei motori, per favorire un aumento sostanziale dell’efficien- za dei motori elettrici e realizzando progetti con densità di potenza maggiori rispetto a quanto è stato finora possibile ottenere con i transistor MOSFET. Bourns entra nel mercato degli IGBT Bourns è entrata nel mercato degli IGBT con il primo prodotto discreto ad alta efficienza da 600 V/650 V. Pro- gettati utilizzando la tecnologia tren- ch-gate field-stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche, i cinque nuovi IGBT discreti Bourns Model BID Series offrono una tensione di saturazione collettore-emettitore inferiore e perdite di commutazione inferiori rispetto alla generazione di componenti precedente. Inoltre, questa struttura forni- sce un coefficiente di temperatura che aiuta ad aumentare la longevità del dispositivo e a ridurre i requisiti di alimen- tazione nei progetti ad alta tensione e ad alta corrente. Questi componenti sono soluzioni interessanti per alimen- tatori switching (SMPS) , gruppi di continuità (UPS), riscal- damento a induzione e applicazioni di correzione del fatto- re di potenza (PFC). ASMvuole acquisire il produttore italiano LPE L’olandese ASM International ha raggiunto un accordo per acquisire LPE , azienda italiana con sede a Milano specializ- zata in reattori epitassiali per carburo di silicio (SiC) e silicio. Il prezzo di acquisto è una combinazione di contanti e azioni che rappresentano un valore aziendale di 425milioni di euro alla data della firma. L’azienda comunica anche che sarà pa- gatoun importoaggiuntivofinoa 100milioni di euro tramite un earn out basato su determinatemetriche di performance Power