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MOSFET EO POWER - MAGGIO 2022 XI Fig. 4 – Parametri di lavoro abbia questo valore troppo vicino a quello che si prevede di gestire, ma è meglio la tensione VDS sia molto più grande di quella che dovrà commutare. Specialmente in certe condizioni possono verificarsi certi fenomeni che generano dei picchi di tensione. Parametro V GS Il parametro VGS fa riferimento alla massima tensione che è applicabile al gate. Il valore indicato non deve essere superato in nessuna circostanza, pena la distruzione del MOSFET, motivo per il quale potrebbe essere utile aggiungere qualche forma di protezione, per assicurarsi che non si verifichi alcuna problematica. Parametro I D Questo parametro indica la massima corrente che può attraversare il circuito drain-source, generalmente legata ad una certa tensione di comando sul gate e ad una determinata tensione di funzionamento. Questo perché si tratta di dispositivi reali e non ideali, il cui funzionamento è suscettibile a diverse condizioni interne o esterne al circuito. Parametro I DM Questo parametro va preso in considerazione insieme a ID, in quanto indica la massima corrente che può avere un impulso, relativo ad un tempo di conduzione dell’ordine dei micro secondi. Parametro P d Pd è la massima potenza dissipabile sul dispositivo, facente riferimento ad una determinata temperatura di funzionamento. Per vedere come cambia questo parametro, si fa riferimento ai grafici presenti sempre sul datasheet. La capacità di ingresso, in combinazione con la resistenza del circuito del driver, influenza le caratteristiche di commutazione. Questo perché più sarà grande la capacità di ingresso, più crescerà il ritardo del tempo accensione (T on ) e spegnimento (T off ). Anche la capacità di trasferimento inverso influisce sul tempo di accensione e spegnimento. Invece la capacità di uscita entra in gioco quando si deve considerare la dissipazione della potenza e la frequenza di risonanza. Grafici di riferimento Per avere un immediato riscontro visivo su determinate caratteristiche, si possono guardare i grafici presenti nel dataheet che contengo- no informazioni dalle quali poter fare le pro- prie principali conside- razioni (Fig. 3). Ci sono molti altri dati da prendere in consi- derazione quando si è alla ricerca del MOSFET giusto (Fig. 4) special- mente nel caso in cui nel proprio progetto sia indispensabile poter raggiungere determi- nate performance (ad esempio, precisi tempi di commutazione). Fig. 3 – Caratteristica di uscita