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EO POWER - GENNAIO/FEBBRAIO 2022 XXXIV Power Gate driver automotive per motori brushless L’unità gate driver (GDU) trifase integrata per autoveicoli L9908 di STMicroelectronics opera in sistemi a 12 V, 24 V o 48 V ed è in grado soddisfare le esigenze di numerose appli- cazioni nei veicoli convenzionali e ibridi/elettrici. È possibile, infatti, configurare i canali di uscita in modo in- dipendente per pilotare vari tipi di carichi. Inoltre, sei pin di ingresso PWM separati consentono la gestione indipenden- te degli stadi pre-driver per diverse strategie di controllo del motore. L9908 può semplificare la progettazione, consentire di ri- sparmiare spazio e migliorare il controllo di pompe a bassa tensione, pompe e ventilatori nei sistemi di ventilazione e raffreddamento e controlli elettronici del sedile. Può esse- re utilizzato anche ne- gli inverter di trazione per veicoli con motore a combustione inter- na (ICE) mild-hybrid e city car completamente elettriche a 48 V. Tre nuovi PMIC e-peas ha ampliato le opportunità per gli sviluppatori per implementare i loro sistemi di energy harvesting. L’azienda ha infatti presentato tre nuovi circuiti di gestione dell’energia (PMIC) che prevedono la regolazione costante della tensione di ingresso, caratteristica che li ottimizza per ingressi di ali- mentazione intermittenti. AEM00330 è un chip di gestione dell’alimentazione comple- to, mentre AEM00300 è un caricatore per elementi di storage. Entrambi sono autoconfigurabili, con la possibilità di passare automaticamente dal funzionamento buck, buck-boost e bo- ost. AEM00940, invece, è una soluzione boost progettata per sup- portare il trasferimento di energia ad alta efficienza da fonti con una tensione in- feriore rispetto all’e- lemento di accumulo. Ha un output basato su LDO e la tensione di ingresso operativa selezionabile va da 50 mV a 4,5 V. Prodotti IceGaN Cambridge GaN Devices (CGD) è un’azienda di semicondut- tori fabless, nata dallo spin-out dell’Università di Cambrid- ge, che sviluppa una gamma di dispositivi di alimentazione basati su GaN-on-silicon ad alta efficienza. L’azienda ha in- trodotto IceGaN (Inte- grated Circuit Enhan- cement GaN), un transistor GaN che può essere utilizzato come un MOSFET al silicio senza la necessità di driver di gate speciali, MAGGIO 2022 circuiti di pilotaggio o altri meccanismi. Per ora sono dispo- nibili quattro prodotti. Gli utenti possono utilizzare i disposi- tivi GaN di CGD con gate driver standard, pronti all’uso, fino a 20-22 V. Inoltre, CGD introduce diverse funzioni integrate aggiuntive come il rilevamento della corrente, che gli uten- ti possono utilizzare per risparmiare su componenti esterni come i resistori di rilevamento. Nuovo PMIC per AMOLED STMP30 è un nuovo PMIC di STMicroelectronics per display AMOLED che combina una bassa corrente di riposo con una elevata flessibilità per prolungare la durata della batteria dei dispositivi portatili. Con un intervallo di tensione di ingresso da 2,9 V a 4,8 V, que- sto componente contiene tre convertitori DC-DC integrati per fornire tutte le linee di alimentazione necessarie per i display AMOLED negli smartphone e altri dispositivi portatili. Il con- vertitore boost da 550 mA ha una tensione di uscita regolabile tra 4,6 V e 5,0 V, con incrementi di 100 mV, per ottimizzare la luminosità del display per il minor consumo energetico e la migliore visibilità in qualsiasi condizione. Le restanti due uscite sono fornite da un convertitore inver- tente buck-boost mo- nofase da 550 mA, pro- grammabile da -0,8 V a -6,6 V, e da un converti- tore boost da 5,5 V a 7,9 V 150 mA. Ampia offerta della tecnologia CoolSiC M1H Infineon Technologies ha annunciato il MOSFET CoolSiC 1200 V M1H. Questo chip sarà implementato in un ampio portafoglio di prodotti utilizzando la famiglia di moduli Easy, insieme a package discreti. Il chip M1H offre un’elevata flessibilità ed è adatto per i si- stemi fotovoltaici, come gli inverter, ma è utilizzabile anche per applicazioni come la ricarica rapida di veicoli elettrici, i sistemi di accumulo di energia e altre applicazioni industriali. Gli ultimi progressi della tecnologia di base CoolSiC consen- tono di avere una finestra operativa del gate significativa- mente più ampia che migliora la ON-resistance per una de- terminata dimensione del die. Oltre alla famiglia di moduli Easy, il portafoglio CoolSiC MO- SFET 1200 V M1H include nuove versioni con ON-Resistance ultra-basse da 7 mΩ, 14 mΩ e 20 mΩ nei package discreti TO247-3 e TO247-4.