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DIMMER EO LIGHTING - MARZO 2022 XI Fig. 7 – Emissioni EMC Quasi Peak SWITCHING ENERGY @ turn_off 7 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 20 70 120 170 220 270 320 Energy (µJ) Pout (W) STF75NF25 COMPETITOR NOEoff@MOSFET isalways ON Fig. 5 – Perdite allo spegnimento (single MOSFET) Fig. 6 – Andamento delle forme d’onda per diversi valori di carico EMC measures Test condition • Input AC voltage: 120 VAC, 60Hz • Output power : 150W (maximum peak current) • LOAD = 300W LED lamp • Rg=100Ω • Quasi peak EMC • Frequency : 150 KHz – 30 MHz • R&S ESRP3 receiver • LISN EMCO 9 KHz – 30 MHz • Measures performed in anechoic chamber STF75NF25 co petitor Per l’energia di commutazione allo spegnimento, ovvia- mente il MOSFET veloce è in grado di effettuare una com- mutazione più rapida rispetto al MOSFET più lento. Ma poiché la frequenza di commutazione è di soli 120 Hz, queste perdite di energia sono trascurabili rispetto alla perdita di conduzione statica (Rds_on) e non influiscono sull’efficienza del sistema come dimostrato in figura 5. Tipiche forme d’onda riscontrate a differenti valori di cari- co sono visibili in figura 6. Confronto in Quasi Peak EMC Per ottenere risultati ottimali il test è stato eseguito all’in- terno di una camera anecoica al fine di ridurre ogni mini- mo il rumore ambientale. Dai risultati dei test risulta evidente come il MOSFET più veloce ottiene livelli di emissioni più alti su tutta la gamma di frequenze (150KHz-30MHz), linea in rosso di figura 7. Il MOSFET standard della famiglia NF è stato confrontato con un MOSFET veloce in un dimmer per illuminazione. Nonostante il MOSFET concorrente abbia uno spegnimento più veloce, sia l’efficienza del siste- ma sia le temperature di cassa dei MOSFET sono pressoché le stesse. Poiché la frequenza di commutazione del si- stema è di circa 120 Hz, le prestazioni di commutazione del MOSFET non influiscono sulle prestazioni in questo tipo di applicazione. La commutazione veloce della più recente tecnologia disponibile sul mercato genera emissioni EMC più elevate che possono facilmente superare la maschera CISPR15 utilizzata per questo tipo di applicazioni. Una tecnologia consolidata come NF può facilmente soste- nere questo tipo di applicazioni poiché è in grado di for- nire le stesse prestazioni di una tecnologia veloce ma con minori emissioni di rumore ed EMC e rappresenta la solu- zione appropriata. Inoltre, una tecnologia veloce che è al- tamente ottimizzata per Rds_on per area potrebbe essere meno robusta durante i transitori presenti normalmente in rete a causa dell’area di silicio più piccola e della conse- guente minore capacità termica. EMC measures 9 Test condition • Input AC voltage: 120 VAC, 60Hz • Output power : 150W (maximum peak current) • LOAD = 300W LED lamp • Rg=100Ω • Quasi peak EMC • Frequency : 150 KHz – 30 MHz • R&S ESRP3 receiver • LISN EMCO 9 KHz – 30 MHz • Measures perform d in anechoic chamber STF75NF25 competitor