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EO POWER - GENNAIO/FEBBRAIO 2022 XXVII POWER SEMICONDUCTOR prestazioni, e consente inoltre di ridurre le dimensioni complessive del sistema (essendo possibile specificare componenti passivi periferici più piccoli). Il ricorso al carburo di silicio (SiC) al posto del silicio (Si) ad esempio, ha consentito di supportare velocità di commutazione molto più elevate. Di conseguenza è possibile migliorare considerevolmente l’efficienza di conversione della potenza. I MOSFET al SiC stanno ora sostituendo gli ingombranti IGBT al Si, con riduzioni significative delle perdite sia all’accensione che allo spegnimento. I vantaggi di questo si possono osservare anche in relazione ai convertitori DC/DC utilizzati nei veicoli elettrici e nei sistemi di produzione di energia rinnovabile.    Analogamente, ledensitàdi potenzapiùelevateoffertedai moduli MOSFET al SiC consentono di rendere gli inverter per l’energia rinnovabile, gli azionamenti industriali e i sistemi di controllo dei motori molto più compatti, pur garantendo una maggiore efficienza operativa. Questi ultimi possono funzionare a temperature più elevate rispetto ai componenti analoghi al Si, e quindi occorre considerare anche i vantaggi di affidabilità.       Se si vogliono ottenere i miglioramenti necessari per garantire la sostenibilità nel lungo termine, è necessario introdurre progressi tecnologici in ogni aspetto della progettazione dei sistemi di alimentazione. Questi riguarderanno i processi produttivi dei semiconduttori utilizzati, l’hardware di sviluppo che accompagna i dispositivi di controllo dell’alimentazione e dei motori e il modo in cui ci si approccia allo sviluppo dei sistemi. Gli ingegneri avranno bisogno di un supporto completo se intendono raggiungere i loro ambiziosi obiettivi di efficienza. Le schede di valutazione aiuteranno a determinare i parametri dei dispositivi che stanno cercando di selezionare per i propri progetti, e inoltre accelereranno l’attività di prototipazione. L’accesso ai progetti di riferimento può essere prezioso quando gli ingegneri intendono sostituire i componenti esistenti basati su Si con alternative ad ampio bandgap con prestazioni più elevate.    Progettazione dei sistemi di alimentazione di prossima generazione: il ruolo di Tohiba Toshiba si è da sempre posizionata come un pioniere nel settore dei semiconduttori di potenza e l’azienda continua a riaffermare il proprio impegno in questo ambito attraverso investimenti finanziari su larga scala. Due esempi recenti che è opportuno ricordare sono l’annuncio, effettuato la scorsa primavera, dell’adeguamento dell’impianto storico di produzione di Kaga in Giappone (che attualmente conta su una forza lavoro di circa 1000 persone) per ospitare una linea di fabbricazione di wafer da 300 mm accanto alla linea esistente da 200 mm. La nuova linea sarà dedicata alla produzione di componenti di potenza avanzati a discreti. Più di recente, Toshiba ha confermato l’intenzione di allestire in Europa un laboratorio per le tecnologie ad alta tensione. Situato nel campus di Düsseldorf, il laboratorio consentirà all’azienda di aggiungere risorse ingegneristiche locali per far fronte agli elevati requisiti tecnici per il proprio portafoglio in espansione di prodotti