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EO POWER - GENNAIO/FEBBRAIO 2022 VIII Power onsemi ha annuncia- to l’introduzione della nuova famiglia SUPER- FET V formata da MO- SFET da 600 V. Grazie a questi dispositivi a ele- vate prestazioni è pos- sibile realizzare alimen- tatori conformi alle più severe normative di ef- ficienza come ad esem- pio 80 PLUS Titanium, specialmente nelle con- dizioni più impegnative (ovvero con il carico al 10%). La serie SUPERFET da 600 V comprende in particolare tre linee di prodotto – FAST, Easy Drive e FRET – ottimizzate per garantire le migliori prestazioni in una vasta gamma di applicazioni e topologie. I componenti la linea SUPERFET V da 600 V si distinguono per le eccellenti caratteristiche di commu- tazione e il ridotto rumore di gate, assicurando miglio- ri prestazioni contro le interferenze elettromagnetiche (EMI), un vantaggio sicuramente importante per server e sistemi telecom. Un diodo intrinseco (body diode) ro- busto e un elevato valore di VGSS (DC ± 30 V) contribui- scono a incrementare l’affidabilità del sistema. Le versio- ni FAST assicurano i più elevati livelli di efficienza nelle topologie di commutazione “hard” (come nel caso degli stadi PFC di fascia alta) e sono ottimizzate per garantire una ridotta carica di gate (Qg) e basse perdite EOSS per consentire una commutazione veloce. I primi dispositivi comprendono i modd. NTNL041N60S5H (RDS(on) di 41 m^) Famiglia di MOSFET ad alte prestazioni e basse perdite per applicazioni in server e sistemi telecom Francesco Ferrari e NTHL185N60S5H (RDS(on) di 185 m∧), entrambi ospitati in package TO-247. NTP185N60S5H è invece disponibile in un package TO-220 mentre NTMT185N60S5H è fornito in package Power88 (di dimensioni pari a 8 x 8 x 1 mm) che garantisce la protezioni MSL 1 (contro l’umidità) e preve- de una connessione “Kelvin-source” per ridurre il rumore di gate e le perdite di potenza durante la commutazione. Le versioni Easy Drive sono invece adatte per topologie di commutazione sia “hard” sia “soft” e prevedono un re- sistore di gate interno (Rg) oltre a capacità interne otti- mizzate. Si tratta di dispositivi di tipo general purpose da utilizzare in svariate applicazioni tra cui stadi PFC e LLC. Il diodo Zener integrato tra l’elettrodo di source e di gate (nella versione con RDS(on) di 120 m∧) permette di ridur- re le sollecitazioni sull’ossido di gate e aumentare la resi- stenza alle scariche elettrostatiche (ESD), assicurando una maggiore resa in fase di assemblaggio e una diminuzione dei guasti sul campo. Attualmente sono disponibili due dispositivi, NTHL099N60S5 e NTHL120N60S5Z, con valo- ri di RDS(on) pari rispettivamente a 99 e 120 m∧, entrambi forniti in package TO-247. Le versioni a ripristino veloce (FRFET→) sono adatte per topologie di commutazione di tipo “soft” come PSFB (Phase-Shifted Full Bridge) e LLC. Diodo intrinseco veloce e ridotti valori di Qrr e Trr sono le caratteristiche salienti dei dispositivi di questa serie. Il diodo, particolarmente robusto, contribuisce a migliorar l’affidabilità del sistema. NTP125N60S5FZ, con diodo Ze- ner integrato, è caratterizzato da una RDS(on) di 125 m∧ ed è offerto in package TO-220, mentre NTMT061N60S5F ha una RDS(on) di 61 m∧ ed è ospitato in un package Power88. Il dispositivo con le più basse perdite, NTHL019N60S5F, si distingue per una RDS(on) di soli 19 m∧ ed è disponibile in un package TO-247. Grazie alle eccellenti caratteristiche di commutazione,inuovidispositividella linea SuperFet Vdi onsemi permettono di realizzare alimentatori conformi alle specifiche di efficienza previste dalle specifiche 80 PLUS Titanium