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SUPER-JUNCTION EO POWER - OTTOBRE 2021 XIX Future generazioni Anche dopo 20 anni, la tecnologia STPOWER MDmesh continua il suo percorso evolutivo e, insieme con le recen- ti ed innovative tecnologie WBG, permette di offrire una gamma di soluzioni tra le più ampie del mercato. La figu- ra 12 illustra la Ron specifica in funzione della tensione di breakdown relativa alle successive versioni di MDmesh rapportate alla tecnologia standard e al suo valore fisico limite con M9 e K6 in piena produzione. Per chiarezza, K5 and K6 sono le versioni a tensioni più elevate (da 800 a 1.700 V). Allo scopo di quantificare gli sforzi che si sono resi neces- sari neIl’introdurre le varie generazioni di MDmesh per incontrare i requisiti applicativi, basti dare uno sguardo alla figura 13 le cui immagini rappresentano la sequen- za di strutture che si sono succedute negli anni fino alla prossima realizzazione del Trench. E poi cosa accadrà? Dopo l’MD6, ci si concentrerà nell’as- sociare i benefici della struttura Trench alla super-giun- zione. Ciò rappresenterà un altro passo in avanti importante per la tecnologia MDmesh e permetterà altresì di applicare le migliorie alle future iterazioni di SiC. Ciò significa, con i dovuti adattamenti, la possibilità di apportare importan- ti miglioramenti alle nuove tecnologie di potenza dopo averle “debuggate” su tecnologie di silicio esistenti. Fig. 11 – L’ACEPACK SMIT permette la realizzazione di diverse configurazioni circuitali Fig. 10 – ACEPACK SMIT Fig. 12 – Evoluzione della Ron specifica dell’MDmesh Fig. 13 – Tabella di marcia dell’MDmesh: verso il Trench

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