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stione di tastiere capacitive, porte USB 2.0 Full Speed e integrazione di funzionalità analogiche avanzate grazie alla presenza del conver- titore A/D. Forniti in package LQFP da 48 a 100 pin o QFN a 48 pin, questi nuovi microcontrollori sono supportati dal software Flexible Software Package (FSP), corredato da una interfaccia grafica per la riduzione dei tempi di sviluppo. Questa interfaccia innovativa con- sente anche ai progettisti che devono migrare dai precedenti sistemi a 8 oppure a 16 bit verso i 32 bit di ridurre drasticamente i tempi e la complessità del processo. La linea di microcontrollori RA4M2 può essere combinata con l’ampia gamma di componenti analogici e di potenza di Renesas per creare soluzioni complete per qualsiasi ap- plicazione ( www.renesas.com/win ) . Ulteriori informazioni sono disponibili all’indirizz o: renesas.com/ra4m2 . MOSFET da 650 V in carburo di silicio Emanuele Dal Lago ON Semiconductor ha annunciato una nuova gamma di MOSFET in carburo di silicio (SiC) da utilizzare in applicazioni particolarmente complesse dove densità di potenza, efficienza e affidabilità rivesto- no un ruolo chiave. Utilizzando i nuovi dispositivi SiC al posto dei tradizionali componenti in silicio nelle applicazioni di commutazione, i progettisti possono ottenere presta- zioni nettamente migliori in applicazioni quali vei- coli elettrici (EV), carica- tori OBC (On Board Char- ger), inverter fotovoltaici, unità di alimentazione (PSU) per server, teleco- municazioni e gruppi di continuità (UPS - Uninter- ruptible Power Supply) . I nuovi MOSFET SiC da 650 V di ON Semiconduc- tor, qualificati per l’uso in- dustriale e conformi alle normative AECQ101 in vigore nel settore automobilistico, sono basati su un nuovo materiale ad ampia banda proibita (WBG - Wide Band Gap) che assicura prestazioni di com- mutazione più elevate e migliori caratteristiche termiche rispetto al silicio. Ciò comporta numerosi vantaggi tra cui maggiore efficienza a livello di sistema, aumento della densità di potenza, riduzione delle interferenze elettromagnetiche (EMI) e diminuzione delle dimensioni e del peso del sistema. Questa nuova generazione di MOSFET SiC adotta un progetto innova- tivo della cella attiva abbinato a un’avanzata tecnologia a film sottile che consente di ottenere la migliore figura di merito Rsp (R DS(on) x 19 - ELETTRONICA OGGI 492 - MARZO 2021 TECH INSIGHT NEWS TECHNOLOGIES Le migliori caratteristiche di commutazione e la maggiore affidabilità dei MOSFET di ON Semiconductor garantiscono un incremento della densità di potenza in una molteplicità di applicazioni complesse