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COMPOUND SEMI- CONDUCTORS bassi valori di carica di gate e di capacit à di uscita. Siste- mi per energie rinnovabili, caricabatteria e conversione DC-DC sono alcuni esempi di applicazioni tipiche. Un altro MOSFET SiC è SCTW100N65G, un dispositivo da 650 V (100 A) conforme alle specifiche AEC-Q101 in vigore nel settore automotive e caratterizzato da una Rds (on) di 20 mΩ. Entrambi questi MOFET di STMicroelectronics, con una temperatura di giunzione di 200 °C, sono adatti per applicazioni a elevate temperature. ROHM Semiconductor dal canto suo propone MOSFET in carburo di silicio a elevata efficienza come ad esempio il dispositivo SCT3033KLGC11. Tra le caratteristiche salienti di questo MOSFET da 1.200 V (95 A) di possono annoverare Rds (on) pari a 22 mΩ e temperatura di funzionamento della giunzione massi- ma di 175 °C. Controllo motore, inverter per impianti fotovoltaici e conversione di potenza sono alcuni degli utilizzi tipici. Da segnalare infine la serie GS6100x di GaN Systems , composta da transistor GaN ad arricchimento da 100 V. In particolare il mod. GS61004B prevede il raffredda- mento sul lato inferiore e si distingue per specifiche quali Ids(max) di 38 A, Rds (on) di soli 18 mΩ e possibi- lit à di supportare frequenze di commutazione superiori a 10 MHz. La scheda di valutazione GS61004B-EVB-CD integra due transistor GS61004B in configurazione a ponte intero (Fig. 5). L’utilizzo dei semiconduttori WBG permette di ottene- re significativi vantaggi – maggiore efficienza energeti- ca, frequenze di commutazione più elevate, possibilit à di operare a temperature più alte – nei circuiti per la conversione di potenza e per il pilotaggio del gate nelle applicazioni di controllo motore. Transistor e MOSFET in carburo di silicio e nitruro di gallio, corredati da una vasta gamma di risorse di pro- gettazione, sono ora disponibili per essere integrati nei design dei prodotti della prossima generazione. Fig. 5 – La scheda di valutazione GS61004B-EVB-CD di GaN Systems