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XXVI Power POWER 24 - GENNAIO/FEBBRAIO 2021 Questo MOSFET della serie CoolSiC di Infineon è inte- grato nella scheda di riferimentoREF_62_FLY_1700_SiC, che rappresenta un valido ausilio per tutti i progettisti impegnati nello sviluppo di alimentatori ausiliari che utilizzano una topologia di conversione flyback trifase di tipo single-ended (Fig. 2). Solitamente questa scheda di riferimento opera in mo- dalit à quasi risonante (QRM - Quasi Resonant Mode) per minimizzare l’impatto del rumore prodotto dalle in- terferenze elettromagnetiche (EMI). Nel caso di funzio- namento con carichi superiori al 30% (rispetto al pieno carico), il convertitore può opzionalmente passare alla modalit à di funzionamento DCM (Discontinous Con- duction Mode): in questa modalit à la massima frequen- za di funzionamento è impostata a 130 kHz. La scheda in questione prevede tre valori nominali di tensione di uscita, pari a +15 V, -15 V e +24 V. Tra le altre caratteristiche della scheda di riferimento si possono menzionare protezione regolabile contro sovra- tensioni di uscita, protezione contro sovraccarichi di corrente, ripristino automatico da condizioni di sovra- temperatura e protezione contro sovra/sotto-tensioni di ingresso. Tra i prodotti della linea CoolGaN di Infineon si può menzionare IGOT60R070D1, un transistor di potenza da 600 V a commutazione ultra-rapida di tipo ad arric- chimento (enhancement-mode) che si comporta come un circuito normalmente aperto (normally off). Contraddistinto da una Rds (on) di 70 mΩ (max.), questo transistor è ideale per circuiti PFC (Power Factor Cor- rection) in topologia totem-pole a semiponte ad alta frequenza. Grazie a caratteristiche quali bassa carica di gate e ridotta carica di uscita, questo transistor è partico- larmente adatto per applicazioni nei settori industriale e delle telecomunicazione, oltre che nei data center. Una scheda dimostrativa per circuiti PFC in topologia totem-pole a ponte intero da 2.500 W (Fig. 3) che uti- lizza il transistor IGOT60R070D1 della serie CoolGaN permette di evidenziare i vantaggi derivati dall’uso della tecnologia GaN, che permette di ottenere un’efficienza di conversione massima del 99,2% nelle applicazioni in cui l’efficienza rappresenta un elemento critico. Un circuito PFC totem-pole prevede commutatori a se- miconduttore al posto di un rettificatore a ponte o a sin- goli diodi per dar vita a un circuito di conversione AC/DC ad alta efficienza. Il circuito di controllo utilizza una frequenza di commutazione PWM di 65 kHz e pre- vede un integrato di controllo operante in modalit à CCM (Continuous Conduction Mode). L’offerta di STMicroelectronics comprende MOSFET in carburo di silicio da 650 e 1.200 V (Fig. 4). Tra i prodotti più significativi dell’azienda italo francese di possono an- noverare i modd. SCTW70N120G2V e SCTW100N65G. SCTW70N120G2V è un dispositivo da 1.200 V ospitato in un package HiP247 caratterizzato da una Rds(on) di 21 mΩ e in grado di supportare una corrente di drain di 91 A (max.). Questo MOSFET integra un diodo intrin- seco (body diode) veloce e affidabile e si distingue per i Fig. 3 – Scheda dimostrativa di un convertitore AC/DC con circuito PFC in topologia totem-pole a ponte intero da 2.500 W che utilizza i transistor della linea CoolGan di Infineon (Fonte: Infineon) Fig. 2 – La scheda di riferimento REF_62W_FLY_1700V_SiC di Infineon equipaggiata con il MOSFET da 1.700 V della serie CoolSiC della medesima società (Fonte: Infineon) Fig. 4 – L’offerta di MOSFET in carburo di silicio di STMicroelectronics (Fonte: STMicroelectronics)