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DIGITAL MEMORY TECHNOLOGIES 47 - ELETTRONICA OGGI 491 - GENNAIO/FEBBRAIO 2021 evita un sovraccarico di comandi e riduce il tempo di accesso in lettura e scrittura casuale. Il modello M30082040054X0IWAY offre schemi di pro- tezione dei dati basati su hardware e software. La pro- tezione hardware avviene tramite il pin WP#. La prote- zione software è controllata dai bit di configurazione nel registro di stato. Entrambi gli schemi inibiscono la scrittura sui registri e sull’array di memoria. La me- moria prevede anche un array di memoria aumentato di 256 byte che è indipendente dall’array di memoria principale. Questi è programmabile dall’utente e può essere protetto dalla scrittura involontaria. Per soddisfare al meglio le esigenze delle applicazioni a basso consumo, la memoria M30082040054X0IWAY prevede due ulteriori stati a bassissima dissipazione: spegnimento profondo e ibernazione. I dati non vanno persi mentre il dispositivo si trova in uno di questi due stati a basso consumo. Il dispositivo, inoltre, mantiene tutte le sue configurazioni. Questa memoria è offerta in package a DFN a 8 piazzo- le (WSON) e SOIC a 8 pin. Si tratta di package compati- bili con prodotti simili a basso consumo, volatili e non volatili. Sono previste versioni operanti nell’intervallo di temperatura industriale (-40 ~ +85 °C) e industriale esteso (-40 ~ +105 °C). Utilizzo della MRAM La MRAM può ridurre significativamente il consumo energetico complessivo rispetto ad altre tecnologie di memoria. L’entità del risparmio tuttavia può variare a seconda dei modelli di utilizzo della specifica applica- zione. Come altre memorie non volatili, la corrente di scrittu- ra è molto più alta della corrente di lettura o di standby. Di conseguenza, i tempi di scrittura devono essere ri- dotti al minimo nelle applicazioni critiche per i consu- mi, specialmente nei progetti che richiedono cicli fre- quenti di scrittura in memoria. I tempi di scrittura più brevi della MRAM possono attenuare questo problema e ridurre il consumo energetico rispetto ad altre me- morie non volatili come la EEPROM o la Flash. Sono possibili ulteriori risparmi energetici con la MRAM utilizzando l’architettura di sistema di tipo “po- wer gating” e ponendo la memoria in standby il più spesso possibile. L’accensione più rapida della MRAM in fase di scrit- tura consente di portarla nello stato di standby più frequentemente rispetto ad altre memorie non volatili. Anche l’assenza di perdite in standby costituisce un valido ausilio. Si noti che è spesso necessario un con- densatore di disaccoppiamento più grande per sup- portare il fabbisogno di energia quando si utilizza il power gating. Scheda di valutazione MRAM Per aiutare i progettisti a “muovere i primi passi” con M30082040054X0IWAY, Renesas fornisce il kit di valutazione M3016-EVK ( https://www.digikey.it/it/ products/detail/renesas-electronics-america-inc/ M3016-EVK/800-M3016-EVK-ND/12317268 ). Questo kit contiene una MRAM a 16 Mbit e permette di svi- luppare soluzioni hardware interattive utilizzando una scheda Arduino (Fig. 3). Il kit plug-n-play è dotato di una scheda host Arduino e di un software emulatore di terminale che comunica con l’interfaccia USB del PC. La scheda di valutazione si monta sulla scheda host Arduino UNO tramite le basette UNO R3. I programmi di test forniti consentono di valutare rapidamente la funzionalità del dispositivo MRAM. In definitiva la progettazione di dispositivi per l’edge computing che utilizzano tecnologie di memoria con- venzionali come DRAM, SRAM, Flash ed EEPROM ri- chiede parecchi compromessi che possono limitare le prestazioni. Per le applicazioni di edge computing, i progettisti possono considerare il ricorso alle recen- ti memorie MRAM che garantiscono un vero accesso casuale, consentendo sia la lettura sia la scrittura in memoria in maniera random. Come mostrato, la MRAM supporta le esigenze di me- moria dei progettisti di applicazioni di edge compu- ting, grazie alle sue caratteristiche che si possono così riassumere: memorizzazione e recupero dei dati senza incorrere in grandi latenze, basso consumo energeti- co grazie all’assenza di perdite in standby, capacità di sopportare 10 16 cicli di scrittura con una possibilità di conservazione dei dati superiore a 20 anni a 85 °C. Bibilografia Sistemi di sicurezza intelligenti che utilizzano l’edge com- puting (https://www.digikey.it/it/product-highlight/r/rene- sas/edge-computing-for-security-systems) Fig. 3 – Il kit di valutazione M3016-EVK si monta sulla parte superiore di una scheda host Arduino UNO per la rapida valutazione delle prestazioni della MRAM (Fonte: Renesas)