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43 - ELETTRONICA OGGI 490 - NOVEMBRE/DICEMBRE 2020 DIGITAL MEMORIES meglio la propria rete elettrica di zona. In questo esempio, le misure del consumo energetico di casa vengono effettuate ogni secondo e ogni due minuti il registro dati di tale utilizzo viene trasmesso alla rete. Una volta trasmesse le letture degli ultimi due minuti, il con- tatore può iniziare a misurare i due minuti successivi di consumo energetico, resettando il registro dati. La rete in quest’area prevede un massimo di 20 possibili eventi interruzione o cali di tensione in un anno. Mentre perdere le letture da un periodo di due minuti su una singola casa sembra irrilevante per i profitti dei servizi pubbli- ci, perdere questi due minuti di letture per un’intera area della rete può assumere una certa importanza. In questo caso la EERAM è la soluzione ideale. Essa permette il salvataggio e recupero dei dati relativi alla interruzione dell’alimentazione ed è l’attuale soluzione dal costo più basso in questa categoria di memorie NVRAM seriali nella fascia da 4K bit a 1 Mbit. I vantaggi della EERAM: un breve riepilogo In primo luogo, la EERAM è costituita da SRAM e gate flottanti, che sono strutture standard della maggior parte dei prodotti CMOS odierni. Quindi per realizzare una EERAM non è necessario aggiun- gere alcuna fase di processo o utilizzare prodotti chimici particolari nel processo di fabbricazione. Un componente di questo tipo può dunque essere realizzato da parecchie fabbriche in tutto il mondo, garantendo l’elevato livello qualitativo e il basso tasso di guasto tipi- co delle decine di milioni dei prodotti in tecnologia CMOS che ven- gono realizzati ogni mese. Ciò rappresenta un sicuro valore aggiun- to per le EERAM. In secondo luogo, per l’utente finale, una EERAM si comporta esattamente come una SRAM seriale: la medesima in- terfaccia di temporizzazione seriale I2C o SPI e le stesse tipologie di package contribuiscono a semplificarne l’utilizzo. Inoltre, la lettura e la scrittura di byte sono simmetriche, il che significa che la velocità di lettura e scritture di un byte è identica. Inoltre, è possibile leggere e scrivere byte all’infinito, proprio come una SRAM, perché il nucleo interno è una SRAM. Tuttavia, poiché sono presenti gate NV, una EERAM è in grado di supportare 100.000 cicli di spegnimento/ac- censione prima che tali gate non volatili possano usurarsi. Per ulteriori informazioni: https://www.microchip.com/design-centers/memory/serial- eeram or contact eeprom@microchip.com .