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XXVIII Power POWER 23 - OTTOBRE 2020 di gate che operano a 125 °C, come quelli utilizzati da questo modulo, rappresentano dunque un indubbio vantaggio in termini di prestazioni e affidabilità. Il modulo può essere raffreddato ad acqua attraverso una leggera piastra di dissipazione AlSiC ad alette, con una resistenza termica di 0.15 °C/W tra giunzione e fluido su ciascun SiC MOSFET con una portata del flusso di 10 litri/ min (50% glicole etilenico, 50% acqua) e temperatura in entrata di 75 °C. La figura 2 descrive il profilo del valore massimo ammesso per la corrente continua di drain in fun- zione della temperatura di case del CXT-PLA3SA12450. Questo valore dipende dalla resistenza drain-source Rds (on) @ Tj max, dalla resistenza termica e dalla tempera- tura di giunzione massima permessa Tj max. La corrente massima continua di drain è una caratteristica che si usa spesso e volentieri per comparare i moduli di potenza, ma una figura di merito più realistica e forse più utile è il valo- re RMS (root mean square) della corrente di un canale in funzione della frequenza di commutazione, come rappre- sentato in figura 3 per il modulo CXT-PLA3SA12450. Que- sta corrente (Arms) è calcolata per una tensione di alimen- tazione continua (VDC) di 600V, temperatura di case (Tc) di 90 °C, temperatura di giunzione (Tj) di 175 °C e duty cycle (D) del 50%. La corrente RMS di un canale è un parametro molto utile per capire se un modulo sia utilizzabile in una partico- lare applicazione. Come abbiamo accennato in precedenza, la corrente in questo modulo è scalabile. La figura 3 mostra anche i valori estrapolati per correnti di 600 A (CXT-PLA- 3SA12600, modulo disponibile a breve). Driver di gate SiC a 3 canali Il driver di gate integrato su CXT-PLA- 3SA12450 è lo stesso usato per CMT- TIT8243 [1, 2] e CMT-TIT0697,[3] due board che contengono solamente i driver di gate per un canale singolo (half-bridge) e ottimizzate per pilotare rispettivamente i moduli di potenza a 62 mm 1.200 V/ 300 A SiC MOSFET e i moduli ad alta velocità di commutazione XM3 1.200V /450 A SiC MOSFET. Il driver di gate a 3 canali usato sul modulo CXT-PLA3SA12450 è ulterior- mente ottimizzato e più compatto grazie a trasformatori più piccoli e distanze di cre- epage inferiori. Questo driver di gate in- clude anche una funzione di monitoraggio della tensione di bus DC. I driver di gate usati sulle schede CMT-TIT8243 e CMT- TIT0697 (Fig. 4) sono stati sviluppati per operare a temperature ambiente massime di 125 °C. Tutti i componenti sono stati se- lezionati accuratamente per garantire il funzionamento continuo e affidabile a queste temperature. Il chipset si affida alla tecnologia ad alta temperatura di CISSOID . [4, 5] Il trasformatore di potenza è un modulo ottimizza- to per operare ad alte temperature e per ottenere capa- cità parassite basse (tipicamente 10 pF), il che minimizza Fig. 2 – CXT-PLA3SA12450: corrente massima continua di drain in funzione della temperatura di case Tc Tabella 1 – Caratteristiche di CXT-PLA3SA12450, modulo intelligente di potenza (IPM) a 3 canali SiC MOSFET 1.200 V/450 A