EO_489

XX Power POWER 23 - OTTOBRE 2020 All’inizio di un nuovo design, i progettisti si trovano spesso oberati dalla quantità di opzioni disponibili per il package di transistor MOSFET e dei blocchi di poten- za (power block). Ad esempio, TI propone MOSFET a canale N singolo in 12 package esclusivi. Data questa miriade di opzioni, è necessario individuare la corretta metodologia per scegliere il package più idoneo per la particolare applicazione considerata. Sono molti gli aspetti da considerare nella scelta di un package per i componenti, tra cui montaggio passante o montaggio superficiale, dimensioni, costi, distanza dei conduttori e capacità termica. Questo articolo tecnico si concentra sulla capacità termica del package e fornisce alcune regole pratiche relative alla dissipazione dell’e- nergia nei package per MOSFET e blocchi di potenza di TI: non bisogna dimenticare che la dissipazione di po- tenza determina le minime dimensioni possibili per il package in una data applicazione. La scheda tecnica Tutte le schede tecniche dei MOSFET di potenza e dei blocchi di potenza includono specifiche di impedenza termica nella tabella delle informazioni termiche. La fi- gura 1 mostra un esempio di specifiche per l’impedenza termica per il CSD17581Q5A. L’impedenza termica nella scheda tecnica viene deter- minata utilizzando procedure di prova e layout per il circuito stampato (PCB) standard. La figura 2 illustra le schede di test standard utilizzate per misurare l’impe- denza termica di un package SON ( Small Outline No- lead ) da 5 mm x 6 mm. TI ha sviluppato simili schede di prova standardizzate per altri package per MOSFET di TI. Di solito, le applicazioni nel mondo reale utilizzano un PCB con due o più strati, vias termiche e un’area con pad posizionata in qualche punto fra gli strati mostra- ti in figura 2. Questi interventi permettono di ottenere una bassa impedenza termica, consentendo al calore di diffondersi negli strati interni del PCB per ottenere una soluzione ottimizzata in termini di spazio che utilizza la minore superficie possibile sulla scheda. Package per MOSFET e blocchi di potenza: criteri di scelta Questo articolo tecnico si concentra sulla capacità termica del package e fornisce alcune regole pratiche relative alla dissipazione dell’energia nei package per MOSFET e blocchi di potenza John Wallace • FET Applications • Texas Instruments Fig. 1 – Dati nominali massimi assoluti del CSD17581Q5A Fig. 2 – Misura della resistenza termica (R θ JA) giunzione-ambiente per package SON da 5 mm x 6 mm come si presentano sulla scheda tecnica per CSD17581Q5A