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TECH-FOCUS MEMORIES 42 - ELETTRONICA OGGI 489 - OTTOBRE 2020 Dopo anni di ricerca e sviluppo, vari tipi di memorie di prossima generazione si stanno espandendo e ancora nuove tipologie sono l’obiettivo della ricerca nel settore di questi dispositivi. Questo articolo propone una panoramica sugli sviluppi di nuove e future generazioni di memorie NUOVETECNOLOGIE DIMEMORIE Fulvio De Santis Mentre alcuni nuovi tipi di memoria che stanno per essere avviati sono ancora nelle prime fasi di sviluppo, le SOT e FeRAM sono molto promettenti, anche se il lancio definiti- vo sarà più o meno determinato dall’econo- mia di mercato. Le memorie attuali e future della prossima generazione affrontano altre sfide scaturite dall’escalation di nuovi tipi di memorie realizzabili con nuovi materiali, nuovi concetti di archiviazione e tecnologie innovative di trattamento dei materiali. La figura 1 mostra schematicamente l’attuale e futura gerarchia delle memorie in funzio- ne della capacità di archiviazione dei dati, tenendo conto anche di altri parametri carat- teristici delle memorie. ttualmente, le memorie di prossima generazione quali le MRAM, PCM (Phase Change Memory) e ReRAM (magnetoRe- sistive-RAM), vengono impiegate in qualche modo, seppur non in grandi numeri. Alcune delle future memorie sono estensioni di queste tecnologie, altre sono basate intera- mente sulle nuove tecnologie o comportano modifiche architetturali, come ad esempio le near- or in-memory nel campo dell’informa- tica, che conducono le attività di elabora- zione prossime o all’interno della memoria stessa. Il superamento di una serie di ostacoli tec- nici e commerciali potrebbe agevolare la sostituzione delle attuali DRAM, NAND e SRAM con le nuove memorie. Tra i nuovi tipi di memoria ci sono: FeFET o FeRAM: una memoria fe-elettrica di prossima generazione. Nanotube RAM: nella ricerca e sviluppo da anni, la RAM nanotube è destinata a sostitu- ire la DRAM. Si stanno sviluppando memorie nanotube al carbonio di prossima generazio- ne sullo stesso dispositivo. Phase-Change Memory: dopo aver avviato i primi dispositivi PCM, Intel ne sta preparan- do una nuova versione che potenzialmente può entrare nel mercato delle PCM. ReRAM: queste future versioni di memorie sono posizionate nel settore dell’AI. SOT-MRAM (Spin-Orbit Torque Mram): una MRAM di prossima generazione destinata a sostituire la SRAM. A