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& PRODUCTS SOLUTIONS 64 - ELETTRONICA OGGI 488 - SETTEMBRE 2020 Nuovo connettore M8 D-Coded I nuovi connettori M8 D-Coded serie 818 di binder sono stati progettati specificamente per l’uso in applicazioni con notevoli larghezze di banda, come per esempio quelle per la trasmissione di dati, oltre che per garanti- re la protezione in una varietà di ambienti difficili nel settore industriale. Questi connettori, infatti, una volta accoppiati e bloccati offrono grado di pro- tezione IP67. Con quattro contatti in ottone placcato in oro disposti sim- metricamente e una ghiera nichelata, questi connettori presentano valori nominali di 4 A per la corrente e 63 V CC per la tensione. La terminazione viene eseguita mediante un morsetto a vite e i cavi possono avere sezione compre- sa fra 0,14 e 0,5 mm². L’intervallodellatemperaturadifunzionamentovada-25°C a +85 °C, e binder ha progettato la serie 818 in modo da tollerare oltre 100 cicli di accoppiamento. I connettori serie 818 hanno dimensioni inferiori di circa il 30% rispetto ai convenzionali connettori M12 e per- mettono connessioni Ethernet sino a 100 Mbit/s Cat. 5e a norma IEEE 802.3. Poiché sono compatibili con Power over Ethernet (PoE+), permettono sia l’alimentazione del sensore che l’invio dei dati simultaneamente. Alta affidabilità e bassi consumi per il nuovo MCU MAX32670 di Maxim Integrated è un nuovo microcon- trollore (MCU) caratterizzato da elevata affidabilità, con- sumi ridotti e dimensioni compatte. Basato sul core Arm Cortex-M4 con unità di calcolo in virgola mobile, il nuovo microcontrollore può essere uti- lizzato per applicazioni industriali, biomedicali e Internet of Things (IoT). Per migliorare l’affidabilità, MAX32670 protegge tutta la memoria integrata (384 kB di flash e 128 kB di SRAM) con la codifica ECC, evitando l’alterazione casuale dei bit, ed è inoltre dotato delle funzionalità secure boot e crypto hardware. Per i consumi, invece, questo microcontroller è caratteriz- zato da un assorbimento di 40μW/MHz e può eseguire le operazioni sulla memoria flash richiedendo una potenza fino al 40% inferiore rispetto altri microcontrollori. Maxim Integrated precisa inoltre che MAX32670 ha dimensioni 50% inferiori rispetto alle soluzioni concor- renti, offrendo agli sviluppatori l’opportunità di ridurre le dimensioni dell’applicazione e i costi legati al materiale. Estese le funzioni delle memorie QspiNAND Winbond ha ampliato le funzionalità delle sue memorie con interfaccia QspiNAND. Recentemente ha aggiunto infatti la lettura sequenziale ad alta velocità che, nei dispositivi flash Winbond QspiNAND W25NxxxJW, per- mette di raggiungere in modalità di lettura sequenziale la stessa velocità massima di trasferimento dati di 52 MB/s a 104 MHz raggiunta in modalità di lettura continua, ma con in più la possibilità di configurare il funzionamento dei chip. Il produttore sottolinea che le velocità di clock di 104 MHz consentono di raggiungere l’equivalente della velocità di 416 MHz (104 MHz x 4) quando si utilizzano le istruzioni di I/O di Fast Read Dual/Quad. I nuovi prodotti flash QspiNAND 1.8V sono dispo- nibili con densità di 512 Mb, 1 Gb e 2 Gb. Le versioni 3.0V sono disponi- bili con densità di 2 Gb e 4 Gb. Tutte le versioni sono prodotte a Taiwan, nello stabi- limento di produzione dei wafer da 12” dell’azienda a Taichung. Winbond sta inoltre aumentando la capacità di produzione per far fronte alla nuova domanda prevista nei segmenti di mercato automotive e IoT. CoolSiC: nuove applicazioni per il carburo di silicio Infineon Technologies ha ampliato la sua famiglia di moduli MOSFET 1200 V CoolSiC con una versione in package formato 62 mm. Il nuovo dispositivo è stato progettato con topologia half bridge e si basa sulla tecnologia Trench. Rispetto a un modulo IGBT da 62 mm, l’elenco delle applicazioni rese possibili dalla nuova versione include ora anche sistemi fotovoltaici, server, sistemi di energy storage, caricabatterie EV, trazione, cottura a induzione commerciale e sistemi di conversione di potenza. Il modulo da 62mmè dotato dei MOSFET CoolSiC che con- sentono di ottenere un’alta densità di corrente. Perdite di commutazione e conduzione molto basse riducono al