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TECH INSIGHT NEWS TECHNOLOGIES 22 - ELETTRONICA OGGI 488 - SETTEMBRE 2020 Il metallo, invece, si restringe di nuovo durante la fase di scarica, quando cioè viene utilizzata la batteria. Questi ripetuti cambiamenti nelle dimensioni del metallo rendono difficile per i solidi mantenere un contatto stabile tra i vari elementi e tendono a causare la frattura o il distacco dell’elettrolita solido. Un altro problema è che gli elettroliti solidi quasi sempre non sono chimicamente stabili quando entrano in contatto con il litio metallico, che è altamente reattivo. Il team di ricercatori ha adottato un design insolito che utilizza due classi particolari di solidi chiamate “mixed ionic-electronic conductors” (MIEC) e “electron and Li-ion insulators” (ELI), che sono chimicamente stabili a contatto con il litio metallico. È stata anche sviluppata una nanoarchitettura tridimensionale sotto forma di array a nido d’ape di tubi esagonali MIEC (i tubi hanno un diametro compreso tra 100 e 300 nanometri e decine di micron di altezza), parzialmente riempiti con il litio metallico solido in modo da formare un elettrodo della batteria, ma con spazio aggiuntivo lasciato all’interno di ciascun tubo. Quando il litio si espande durante la fase di carica, fluisce nello spazio vuoto all’interno dei tubi, muovendosi in pratica come un liquido pur mantenendo la sua struttura solida cristallina e la conduttività elettrica. Questo permette di non far modificare le dimensioni esterne dell’elettrodo o il confine tra l’elettrodo e l’elet- trolita. L’altro materiale, l’ELI, funge da legante meccanico tra le pareti MIEC e lo strato di elettrolita solido. Il team ha dimostrato sperimentalmente questa tecnologia sottoponendo un dispositivo di prova a 100 cicli di carica e scarica senza rilevare fratture dei componenti solidi. Il team comprende ricercatori provenienti dal MIT , Hong Kong Polytechnic University , University of Cen- tral Florida , University of Texas a Austin e Brookhaven National Laboratories a Upton, New York. SEMPER Secure: memorie Flash NOR avanzate e sicure Alessandro Nobile Infineon Technologies , azienda che grazie all’acquisizione di Cypress Semiconductor ha ulteriormente consolidato la propria “expertise” nel settore delle memorie, ha di recente annunciato l’aggiunta della linea Semper Secure alla piattaforma Semper, formata da memorie Flash di tipo NOR. Semper Secure è la prima soluzione di memoria che abbina protezione e sicurezza funzionale in un singolo dispositivi Flash di tipo NOR, garantendo i livelli di sicurezza e di affidabilità richiesti per i sistemi connessi più avanzati utilizzati nei settori automotive, industriale e delle comunicazioni. A causa della proliferazione dei sistemi connessi, la sicurezza dei sistemi è diventata una priorità assoluta. Semper Secure NOR Flash offre una soluzione affidabile per soddisfare requisiti stringenti e proteggere le informazioni critiche del sistema. Poter disporre di una soluzione flash sicura riveste una particolare importanza quando la NOR Flash è po- sizionata all’esterno di un processore, rendendolo vulnerabile a una varietà di attacchi. Semper Secure è l’unica soluzione NOR Flash che funge da root-of-trust hardware, fornendo in tal modo una protezione end- to-end. Inoltre, il kit di sviluppo Semper Solution consente una facile integrazione del sistema, accelerando il time-to-market e riducendo drasticamente il TCO. Un’architettura ottimizzata La famiglia di Flash NOR Semper Secure include dispositivi qualificati per l’uso nel settore automotive (AEC-Q100) che possono operare nell’intervallo di temperatura esteso, compreso tra -40 °C e +125 °C, può operare con tensioni da 1,8 V e 3,0 V ed è disponibile in versioni con densità di 128 Mb, 256 Mb e 512 Mb. Le memorie Flash della linea Semper Secure risulta conforme alle specifiche previste dallo standard standard ISO 26262 e rispetta i requisiti relativi ai livelli di integrità della sicurezza ASIL-B (ed è pronta per essere utilizzata in sistemi fino a ASIL-D). L’architettura EnduraFlex semplifica la progettazione del sistema consentendo di ottimizzare le partizioni in funzione dell’endurance (il numero di cicli di scrittura supportati prima che si manifestino guasti) o della “data retention” (capacità di mantenere inalterati i dati).