EO_486

DIGITAL EMBEDDED FLASH 45 - ELETTRONICA OGGI 486 - MAGGIO 2020 1) Memoria flash integrata da 24 MB: la più ampia del settore presente in una MCU, combinata con circuiti logici CMOS ad alte prestazioni di tipo HKMG (High-K Metal Gate). 2) Velocità di lettura ad accesso random pari a 240 MHz: la più veloce del settore per una memoria flash integrata. 3) Supporto per la programmazione a basso rumore durante gli aggiornamenti OTA. 4) Commutazione del software robusta e ad alta velo- cità in seguito agli aggiornamenti OTA. Ognuno di questi elementi è descritto nel dettaglio di seguito. Memoria flash integrata da 24 MB Renesas utilizza la tec- nologia SG-MONOS (Split Gate-MONOS) che com- bina affidabilità e presta- zioni eccellenti per la me- moria flash embedded a partire dalla generazione a 150 nm in poi. La figura 2(a) illustra la struttura di una cella di memo- ria. Nella memoria flash SG-MONOS, le cariche elettriche immagazzinate vengono disperse sui trap-site nel film di nitruro di si- licio sottile (SiN), che offre due vantaggi: innanzitutto, i difetti nel film isolante hanno un impatto minimo sulla ritenzione delle cariche accumulate, quindi è possibile ridurre la dimensione delle celle senza compromettere l’affidabilità; in secondo luogo, è più facile far corri- spondere l’altezza delle celle di memoria a quella dei transistor logici, dettaglio che consentirà di aggiunge- re celle di memoria flash senza modificare la struttura e le prestazioni dei transistor logici. Questo vantaggio diventa particolarmente significati- vo nei casi in cui l’altezza dei transistor logici diminu- isce, come accade nei nodi di processo più avanzati. Sfruttando al massimo i vantaggi appena delinea- ti, Renesas ha sviluppato la prima MCU flash au- tomotive del settore, con transistor ad alte presta- zioni HKMG, in collabora- zione con TSMC . Sul chip prototipale, le celle di me- moria sono state ridotte a una dimensione inferiore a 0,045 µm 2 , senza quindi aumentare la dimensio- ne complessiva del chip, ottenendo in tal modo la capacità di 24 MB di me- moria flash embedded per l’archiviazione del codice (code flash: CF), il valore più alto in que- sto settore. Il chip include anche 1 MB di memoria flash per l’archiviazione Fig. 2 – (a) Struttura della cella di memoria flash SG-MONOS, (b) Affinità con la logica CMOS HKMG ad alta velocità (Fonte: Renesas Electronics Corp.) Fig. 3 – (a) Riduzione del ritardoWL grazie alla divisioneWL, (b) Attenuazione della tensione di sollecitazione sul driver e sul ripetitore WL, (c) Grafico Shmoo delle letture random-access (Fonte: Renesas Electronics Corp.)