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DIGITAL EMBEDDED FLASH 44 - ELETTRONICA OGGI 486 - MAGGIO 2020 mazione delle flash con segnali a basso rumore, per consentire una programmazione stabile durante gli aggiornamenti del software persino durante la guida, una riduzione dei tempi di inattività quando si passa dal software in esecuzione a una nuova versione, e una robustezza sufficiente per evitare malfunzionamenti anche quando si verifica un’interruzione imprevista durante gli aggiornamenti o durante la commutazio- ne del software (dalla versione precedente a quella aggiornata). Per rendere gli aggiornamenti OTA più convenienti e più facili da usare, è necessario fornire aree di archiviazione separate per gli aggiornamenti dei programmi e i programmi attualmente in esecuzio- ne, il che comporta l’esigenza di aumentare la capacità della memoria flash. In risposta ai requisiti appena sopra delineati, Rene- sas Electronics ha sviluppato una nuova tecnologia di memoria flash integrata a 28 nm per MCU automotive con le seguenti caratteristiche: L e tendenze della tecnologia automobilistica di nuova generazione, che si possono sintetizza- re nell’acronimo “CASE” (Connected, Autono- mous, Shared, Electric), stanno generando aspettative più elevate per i semiconduttori impiegati in ambito automotive. La richiesta di microcontrollori (MCU) automotive di nuova ge- nerazione, con nuove funzionalità e migliori capacità di elaborazio- ne, ha reso necessario il passaggio a un processo logico CMOS ad alte pre- stazioni più avanzato, al fine di migliorare lo sca- ling e il rapporto presta- zioni-potenza dei circuiti integrati (Fig. 1). Inoltre, i programmi di controllo utilizzati su questi MCU di nuova generazione hanno dimensioni mag- giori, per cui richiedono velocità di prelievo del- le istruzioni (instruction fetch) ancora più elevate. Da qui la necessità di una memoria flash integrata di maggiore capacità, con let- tura ad accesso random veloci. Per questo motivo, una memoria flash con elevati livelli di prestazioni e affida- bilità che può essere integrata insieme all’impiego di processo logico CMOS ad alte prestazioni più avanza- to, è un fattore chiave nello sviluppo di MCU automoti- ve di nuova generazione. Al tempo stesso, l’introduzione di aggiornamenti soft- ware di tipo OTA (Over-The-Air) procede in parallelo ai progressi della tecnologia delle auto connesse. Ciò sta generando una forte domanda di sistemi di memoria flash in grado di fornire un controllo della program- La nuova tecnologia di memoria flash da 28 nm offre maggiori capacità, operazioni di lettura più rapide e supporto OTA High-Level per i microcontrollori impiegati in ambito automotive Yasuhiko Taito Responsible development of embedded non-volatile memory for micro controller units Renesas Electronics Memorie Flash avanzate per le auto del futuro Fig. 1 – Per le MCU utilizzate in ambito automotive la tendenza è utilizzare memorie flash più veloci e caratterizzate da maggiore capacità (Fonte: Renesas Electronics Corp.)