EO_477

POWER BMS SYSTEMS 37 - ELETTRONICA OGGI 477 - APRILE 2019 Effettua l’elaborazione diagnostica per la spettroscopia di impedenza (con la misura delle impedenze in DC e in AC) e fornisce informazioni sullo stato di carica, sulla tem- peratura e sulle condizioni generali della batteria. Ospita il sistema operativo. Per via dell’ampia gamma di requisiti, che includono la sicurezza funzionale (safety) e la protezione dei dati (se- curity), si considerano esclusivamente i microcontrollori multicore in modalità di funzionamento lockstep e i mo- duli hardware di sicurezza (HSM). Alcune caratteristiche salientui sono riassunte nella tabella 4. Isolamento galvanico con optoaccoppiatore o trasformatore induttivo L’optoaccoppiatore è adatto per l’isolamento galvanico dei segnali tra il lato ad alto potenziale di tensione e quel- lo a bassa tensione. Le tipologie di dispositivi indicate in tabella 5, come TLX93xx e TLX92xx di Toshiba , hanno ottenuto una buona accettazione da parte del mercato. Vishay ha anche presentato una soluzione per il mercato automotive con il primo optoaccoppiatore qualificato se- condo lo standard AEC-Q101, dotato di un fototransistor in uscita (VOMA617A). Entrambi sono indicati per appli- cazioni con circuiti di bordo da 48 V, grazie alla rigidità dielettrica al lato collettore-emettitore pari a 80 V. I tra- sformatori induttivi di Pulse costituiscono un’altra alter- nativa per la separazione in presenza di alte tensioni di modo comune. Interfacce, driver di interfaccia Sono disponibili numerose varietà di transceiver CAN per cavi a doppino per lo strato fisico del bus CAN. Tabella 5 – Alcune delle principali caratteristiche dei dispositivi utilizzati per l’accoppiamento galvanico Isolamento galvanico Produttore Tipo Serie Descrizione/caratteristiche Toshiba Optoaccoppiatore TLX93xx IC stadio di uscita, da 1 Mbps a 20 Mbps, 125 °C Toshiba Optoaccoppiatore TLX92xx Uscita a transistor, 3.750 Vrms, V CE 80V, 125 °C Vishay Optoaccoppiatore VOMA617A Uscita a transistor, 3750 Vrms, V CE 80V, SOP-4 Tabella 6 – Caratteristiche salienti dei transistor di potenza utilizzate per la protezione Transistor di potenza per la sicurezza elettrica (48 V e alta tensione) Produttore Tipo Serie Descrizione/caratteristiche Infineon MOSFET OptiMOS 5 100 V, canale N, RDSon 1.5 mΩ, alloggiamento: TOLL Infineon MOSFET OptiMOS™ 5 80 V, canale N, RDSon 1.2 mΩ, alloggiamento: TOLL ST MOSFET STripFET™-F7 80 V, 100 V, canale N, alloggiamento PowerFLAT Toshiba MOSFET UMOS8 100 V, canale N ROHM IGBT RGSxxx 650 V, 1.200 V, prova di corto circuito fino a 8 μs a 90 A Infineon IGBT TRENCHSTOP™ 5 AUTO 600 V, 650 V, 1.200 V, fino a 400 A ST IGBT STGxx 600 V, 650 V, 1.200 V, fino a 120 A Tabella 7 – Caratteristiche salienti dei gate driver utilizzati per scopi di protezione Gate driver per i fusibili elettronici (48 V e alta tensione) Produttore Tipo Serie Descrizione/caratteristiche Infineon Gate driver EiceDRIVER Ingressi ad alta tensione a canale singolo/a due canali, isolati con funzioni diagnostiche ST Gate driver STGAP alta tensione a singolo canale, isolati con funzioni diagnostiche ROHM Gate driver BM6xxx Ingressi ad alta tensione a canale singolo/a due canali, isolati con funzioni diagnostiche e conversione DC/DC BOSCH ASSP di protezione iFuse fino a 48 V, 4 canali, misura di corrente, DC/DC, Vreg Infineon BLDC-ASSP TLE9180D fino a 48V, 3 canali, misura di corrente, funzioni diagnostiche e di sicurezza