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TECH INSIGHT MICROCONTROLLER DESIGN 24 - ELETTRONICA OGGI 476 - MARZO 2019 Il primo controllore in tecnologia SOTB Renesas ha recentemente terminato lo sviluppo del primo microcontrollore che utilizza il processo SOTB, contraddistinto da un mix ottimizzato tra prestazioni, livello di integrazione e consumi sia in modalità attiva sia in modalità standby. Questo dispositivo utilizza una CPU Cortex M0+ che lavora fino a 64 MHz, è caratte- rizzato da un elevato livello di integrazione delel periferiche e prevede fino 1.5 MByte di FLASH e 256 KByte di RAM statica a bordo. L’utilizzo della tecnologia Silicon on Thin Buried Oxide ha consentito di garantire caratteristiche di basso consumo uniche, riportate poco sotto, mentre i dispositivi futuri, con livelli d’integrazione e dimensioni di memoria inferiori, presenteranno livelli di consumo ancora inferiori. Corrente in modalità attiva: 20 μA / MHz Corrente in standby: 200 nA Corrente convertitore AD durante la conversione: 3 μA SRAM [256 Kbyte] in standby: 1 nA / Kbyte Lo schema a blocchi di R7F0E017, ovvero il primo microcontrollore Renesas a utilizzare il nuovo processo SOTB, è riportato in figura 5. Il nuovo dispositivo Renesas R7F0E017 grazie alla combinazione unica tra memoria FLASH e memoria RAM di grandi dimensioni, elevato livello d’integrazione delle periferiche e i consumi estremamente bassi in tut- te le condizioni operative, risulta essere la scelta migliore per una ampia gamma di applicazioni come ad esempio i dispositivi “indossabili” e molte altre applicazioni nei settori consumer e IoT, industriali e medicali. L’utilizzo della tecnologia SOTB consente inoltre di utilizzare questi dispositivi in applicazioni nelle quali l’e- nergia viene ricavata dall’ambiente (Energy Harvesting). A questo scopo R7F0E017 include anche un inno- vativo controllore per energy harvesting che consente sia di accumulare energia provenienti da una vasta gamma di sorgenti di energia rinnovabile sia di controllare in modo automatico una batteria ricaricabile esterna o un supercondensatore. La tecnologia Silicon on Thin Buried Oxide consentirà non solamente lo sviluppo di una nuova classe di microcontrollori ultra low power adatti per le nuove generazioni di applicazioni connesse, ma anche la re- alizzazione di una nuova gamma di dispositivi energy harvesting, offrendo in tal modo una una soluzione affidabile in grado di rispondere alle richieste di molte tra le più complesse applicazioni a basso consumo. I campioni del dispositivo R7F0E017, unitamente a una completa gamma di strumenti di sviluppo, sono di- sponibili per clienti qualificati e il rilascio ufficiale è previsto per la seconda metà del 2019. Fig. 5 – Schema a blocchi del primo microcontrollore Renesas che utilizza il nuovo processo SOTB