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TECH INSIGHT NEWS TECHNOLOGIES 20 - ELETTRONICA OGGI 475 - GENNAIO/FEBBRAIO 2019 In sostanza il cambiamento di capacità del sensore si traduce in uno spostamento della frequenza di risonanza in un circuito induttore-condensatore-resistore. Le comunicazioni sono realizzate grazie a una piccola antenna e i medici possono usare un dispositivo esterno che rileva a distanza le variazioni. I ricercatori hanno dovuto modificare i materiali dei sensori esistenti per renderli sensibili alle pulsazioni, ma anche abbastanza rigidi da conservare la loro forma. Si è dovuta anche posizionare l’antenna in un punto in cui potesse risultare protetta, ma non influenzata dalla pulsazione. È stato necessario anche riprogettare il conden- satore in modo che potesse essere posizionato attorno a un’arteria. In futuro, il dispositivo esterno potrebbe essere realizzato sotto forma di un cerotto adesivo oppure essere inte- grato in un’altra tecnologia, come per esempio un dispositivo indossabile o uno smartphone. Rilevare facilmente i difetti nei componenti SiC Francesco De Ponte I componenti elettronici realizza- ti in carburo di silicio (SiC) han- no numerosi vantaggi rispetto a quelli tradizionali in silicio, materiale che per molte applicazioni ha raggiun- to il limite a causa delle sue proprietà intrinseche. I componenti SiC offrono infatti una maggiore resistenza alle alte temperature, supportano elevate tensioni e frequenze di commutazione maggiori. La realizzazione dei componenti SiC, come per esempio i MOSFET, pone però numerose sfide, soprattutto in fase di produzione. Si possono infatti avere difetti indesiderati fra l’interfac- cia SiC/SiO2 (questi componenti sono realizzati con uno strato SiC e uno strato molto sottile di ossido di silicio applicato sopra) che limitano la cor- rente massima erogabile. La ricerca di questi e altri difetti diventa quindi un aspetto molto importante per l’in- dustria per poter sfruttare al massi- mo le potenzialità offerte da questo materiale. Le tecniche di misurazio- ne convenzionali, che sono state svi- luppate essenzialmente però per i dispositivi MOSFET realizzati in silicio, semplicemente ignorano l’esistenza di questi difetti. Altri metodi di misurazione più complessi, al contempo, non sono utilizzabili su larga scala oppure non possono essere applicati ai componenti finiti. I ricercatori della Friedrich Alexander University Erlangen-Norimberga (FAU) però hanno sviluppato un meto- do semplice e preciso (i risultati sono stati pubblicati sulla rivista Communications Physics) per rilevare i difetti nei transistor in carburo di silicio e permettere di ottenere quindi dispositivi più potenti, affidabili ed efficienti. I ricercatori hanno notato infatti che i difetti seguono sempre uno stesso schema e sono riusciti a rappresentar- ne un modello tramite una formula matematica. Il sistema trovato dai ricercatori è in grado non soltanto di fornire valori molto precisi per i parametri tipici dei dispositivi, come la mobilità degli elettroni o la tensione di soglia, ma consente anche di determinare la distribu- zione e la densità dei difetti dell›interfaccia. La ricerca ha ovviamente avuto delle conferme sperimentali. In esperimenti condotti utilizzando transistor appositamente progettati dal partner industriale dei ricercatori Infineon Technologies e dalla sua controllata, Kompetenzzentrum für Automobil- & Industrie-Elektronik , il metodo si è dimostrato infatti particolarmente semplice ed estremamente accurato nei risultati. I ricercatori della Friedrich Alexander University Erlangen-Norimberga (FAU) hanno sviluppato un nuovometodo per rilevare i difetti nei transistor in carburo di silicio (Fonte: FAU/Michael Krieger, Martin Hauck)