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centinaio di Volt e avere tensioni di comando di una decina di Volt e perciò necessitano di circuiti di polarizzazione parti- colarmente attenti alle sovra e sotto tensioni. D’altro canto, il vantaggio di erogare maggior potenza elet- trica dissipandone termicamente un terzo rispetto al silicio consente di abbattere i consumi e le problema- tiche di raffreddamento e questo può essere un be- neficio considerevole soprattutto nei grandi impianti come datacenter o centrali telecom dove possono es- serci milioni di transistor. eGaN per forti correnti in pochi mm EPC è stata fondata in California da tre ingegneri che hanno sviluppato la tecnologia di fabbricazione dei transistor eGaN o enhancement GaN nei quali la base è normalmente in OFF mentre applicando polarizza- zione commuta in ON. Quest’approccio consente di massimizzare i vantaggi dei transistor in eGAN rispet- to a quelli in silicio dato che offre prestazioni migliori GaN Systems propone in due versioni Top-side e Bottom-side i transistor E-HEMT GaN-on-Si GS66516 da 650 V e 60 A e GS61008 da 100 V e 90 A POWER GAN TECHNOLOGY a costi e consumi inferiori. Un altro importante van- taggio degli eGaN FET è illustrato nel “Phase Nine Re- liability Report” pubblicato da EPC ad aprile dov’è di- mostrato che questi transistor, giunti ormai alla quinta generazione, possono sopportare stress termici inten- si per ben nove milioni di ore senza fare alcun errore. Inoltre, le prestazioni migliorano ulteriormente rispetto alla quarta generazione e, per esempio, gli stadi di am- plificazione da 100 V scendono da 6,99 a 3,96 mm² e quelli da 200 V da 11,96 a 7,36 mm 2 pur mantenen- do le medesime caratte- ristiche. I nuovi transistor eGaN FET EPC2045 ed EPC2047 hanno rispet- tivamente tensione d’u- scita e resistenza di con- duzione di 100 V e 7 m e 200 V e 10 m e sono quindici volte più piccoli degli analoghi compo- nenti Mosfet. Il primo ero- Hanno banda passante che va dalla continua fino a 4 GHz i transistor HEMT inGaN-on-SiC QorvoQPD1009 e QPD1010 in package da 3x3 mm con potenza di 16 e 10 W