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DATA STORAGE | HARDWARE Pur essendoci differenze tecniche e di prestazio- ni, ciò che tutti questi sistemi hanno in comune è À - rezione del fattore di potenza (PFC) il più possi- bile vicina all’unità e di condizionare la tensione fornita – pur offrendo tutto ciò ad un costo sem- pre più basso! L’altro fattore che “mette a dura prova” i proget- tisti è dato dai vincoli di spazio imposti per soddi- sfare i requisiti della soluzione in fase di sviluppo. Lo spazio è un valore aggiunto in tutti i data cen- tre, e gli operatori cercano di riempirlo con ogni mezzo con risorse di storage in grado di gene- À conseguenza che i sistemi UPS sono sottoposti a pressio- ni crescenti verso la miniaturizzazione. Questo ha alimenta- to la popolarità de- gli approcci di tipo rack basati su UPS modulari. Poiché la potenza complessiva di ogni modulo è molto inferiore a quella dell’intero si- stema di UPS, i progettisti dispongono di mag- Á & & scalare le soluzioni. La riduzione delle dimensio- ni del gruppo di continuità, pur mantenendo la potenza di uscita (o talvolta aumentandola), ha À & K À - getti di dimensioni inferiori dispongono di meno spazio per i componenti per la gestione termica come i dissipatori. Spesso si rende necessario il raffreddamento attivo con le ventole, ma questi À - va del sistema, consumando essi stessi energia. M À - biettivo più importante per la gestione dei costi operativi, la correzione del fattore di potenza ha À 8 87$ mal progettato può anche aggiungere armoniche di tensione indesiderate all’alimentazione, il che può infuenzare negativamente il funzionamento di apparecchi di elaborazione e di storage di im- portanza vitale. Miglioramento delle prestazioni degli UPS Quando i dispositivi WBG (Wide Band Gap) re- alizzati mediante materiali come GaN e SiC saranno disponibili in volumi, ci si attende un À - À & di prezzo ragionevole. Fino ad allora, i progettisti stanno continuando a cercare di ottenere anche i miglioramenti più modesti delle prestazioni dai MOSFET esistenti basati su silicio. Toshiba ha brevettato una tecnica che sta su- scitando grande interesse, in quanto permette ai MOSFET esistenti a supergiunzione basati su silicio di conseguire livelli di prestazioni che si avvicinano a quelli delle soluzioni ad ampio bandgap di prossima generazione. Basandosi su una topologia a mezzo ponte, si può dimostrare come le perdite di commutazione pos- À frequenza di commutazione. Esistono due aspetti principali legati a queste perdite; il primo è la carica di recupero inverso (Q RR ) immagazzinata nel diodo, che genera un picco di corrente nel transistor inferiore quando esso commuta verso lo stato di conduzione. Il se- condo è il picco di corrente di carica durante l’in- Fig. 2 – La topologia a mezzo ponte presenta due meccanismi principali di perdite di commutazione 49 EMBEDDED NOVEMBRE