POWER4 - aprile2014
XIII
SiC
duli che sono ingradodi offrireunamiglior efficienza
(soprattutto a elevate frequenze di commutazione),
una potenza di uscita più elevata e una maggior mi-
niaturizzazione.
producediodi Schottky fino
a 1.2 kV e 100A e transistorMosfet da 600V e 35A.
ha a catalogoMosfet in carburodi
silicio che offrono un’elevata temperatura operativa,
basse perdite di commutazione, deriva termica trascu-
rabile, ridotta resistenza di conduzione ed elevate ve-
locità operative. SCT30N120, in particolare, è in gra-
do di operare fino a 1.2 kV e 45A, con 80milliohm di
Rds(on) a150 °C. STMproduce inoltrediodi Schottky
in versione singola e duale (Fig. 7) fino a 1200V efino
a 2x10A.
ha avviato la produzione di diodi Schottky
in SiC da 650V/24A (Fig. 8), mentre
utilizza il carburodi silicioper lames-
sa a punto di diodi Schottky, JFET, Mosfet, transistor
bipolari, moduli a Igbt sia di circuiti integrati in SiC.
Dispositivi inNitruro di Gallio
Mentre, come visto sopra, i dispositivi di potenza in
carburo di silicio vengono ormai ampiamente prodot-
ti da tuttauna seriedi società, il nitrurodi Gallio –no-
nostante le sueottime caratteristiche – vieneutilizzato
solo dai pochi produttori che si sono assunti l’onere
di studiare, sviluppare e mettere a punto tecnologie
adeguate a questo semiconduttore.
Fra queste si annovera
che,dopoalcuni annidi sviluppo,hames-
so a punto una tecnologia (denominata “GaNpowIR”,
Fig. 9) per dispositivi di potenza basata sulla deposi-
zione epitassiale di arseniuro di Gallio su silicio (su
wafer da 150 mm), capace di evidenziare notevoli
prestazioni abbinate a bassi consumi. I prodotti basati
sugli iP2010 e iP2011 permettono infatti di operare
a frequenze decisamente più elevate, con minori di-
mensioni emaggiore efficienza.
Fra le società che propongonodispositivi di potenza
al nitruro di Gallio vi è la canadese
,
che produce semiconduttori per la conversione di
potenza. La società propone un kit di valutazione
che opera nel range da 200V/60A a 1000V/20A,
con una resistenza specifica in on-state inferiore a
0.6 milliohm al centimetro quadrato, ciò che per-
mette ad esempio ad un transistor da 30A/600V di
dissiparemeno di 1Watt.
Un altroproduttore attivonella realizzazionedi dispo-
sitivi alnitrurodiGallioviè
che offre FET eGaN fino a 200V e 4A capaci di
operarefino a frequenzedei gigahertz e che, utilizzan-
do i driver di Texas Instruments, fornisce demo board
e reference design di vari tipi di circuiti a semiponte
per il pilotaggio di potenza ad alta frequenza.
Fra gli altri attori impegnati in questo settore occorre
segnalare la collaborazione tra
e
,
che produce transistor Hemt in GaN da 600V/17A e
moduli a ponte trifase al nitrurodi Gallioda 2 e 4 kW.
Da citare infineMicroGANGmbH, che produce tran-
sistor inGaN da 600V e 5mohm/cm
2
.
Fig. 9 – International Rectifier produce componenti
innitrurodiGalliocon il logoGaNpowIR
Fig.8–ToshibaproducediodiSchottky incarburodi
silicioda650V
