EOPOWER39

Power Nuovo modulo batteria Brill Power , in collaborazione con Lithium Valley , ha presentato un nuovo modulo batteria, HELIOS. Al centro del modulo c’è la tecnologia BrillCore per la gestione della batteria che fornisce un “caricamento attivo” intelligen- te dei moduli batteria per offrire miglioramenti signifi- cativi nei sistemi BESS fino a 1500 V. Questa caratteristi- ca consente di sfruttare completamente il potenziale dei battery pack, consentendo al contempo il bilanciamento continuo all’interno di una stringa durante la carica e la scarica, aumentando l’energia utilizzabile e riducendo i lunghi passaggi di bilanciamento. Il produttore dichiara che questa tecnologia è in grado di offrire un aumento anche fino al 61% dell’utilizzo della batteria. Il modulo HELIOS combinerà la tecno- logia di Brill Power con celle LFP da 314 Ah. Transistor GaN radiation hardened Infineon Technologies ha annunciato il primo compo- nente di una nuova serie di transistor resistenti alle ra- diazioni. Questi componenti, realizzati in nitruro di gal- lio (GaN), si basano sulla tecnologia CoolGan e sono stati progettati per operare nello spazio. Il nuovo transistor è il primo realizzato internamente a conseguire la certificazione di affidabilità assegnata dal- la Defense Logistics Agency (DLA) degli Stati Uniti per la specifica MIL-PRF-19500/794 Joint Army Navy Space (JANS). Le prime tre varianti di prodotto della nuova linea di tran- sistor GaN resistenti alle radiazioni sono dispositivi da 100 V e 52 A con una resistenza tipi- ca drain source (DRS) di 4 mΩ (RDS(on)) e una carica totale di gate (Qg) tipica di 8,8 nC. I transistor sono resistenti a Sin- gle Event Effect (SEE) fino a LET (GaN) = 70 MeV. cm²/mg (ione Au). Reference design per alimentatori da 12 kW Navitas Semiconductor ha annunciato un reference de- sign per un alimentatore da 12 kW per data center hyper- scale AI. L’alimentatore è conforme alle specifiche Open Rack v3 (ORv3) e alle linee guida Open Compute Project (OCP). Utilizza MOSFET Fast SiC Gen-3, una nuova piattaforma digitale “IntelliWeave” e circuiti integrati GaNSafe ad alta potenza. La topologia LLC full-bridge è supportata da circuiti integrati GaNSafe di quarta generazione, che integrano funzioni di controllo, pilotaggio, rilevamento e protezione. Il controllo digitale IntelliWeave offre una strategia di controllo ibrida sia in modalità di conduzione critica (CrCM) che in modalità di conduzione continua (CCM). L’alimentatore ha un intervallo di tensione di ingresso di 180-305 V CA e può erogare fino a 50 V CC e 12 kW con tensioni di ingresso supe- riori a 207 V CA e fino a 10 kW con tensioni inferiori. Relè di potenza per la sicurezza delle batterie ad alta tensione OMRON Electronic Components Europe ha introdotto il relè di potenza DC ultracompatto G9EJH-1-E, utilizzabile per la protezione da correnti di spunto nei sistemi di rica- rica delle batterie fino a 800V. Grazie all’elevata tensio- ne massima supportata e alla distanza di isolamento, il nuovo relè di OMRON è particolarmente interessante per l’uso nei sistemi di accumulo di energia a batteria (ESS). Le dimensioni compatte e la tensione di esercizio della bobina (12V) semplificano l’integrazione nei veicoli ibridi ed elettrici (EV/PHEV). Inoltre, la capacità di 800V soddi- sfa le nuove esigenze del mercato automotive. In grado di trasportare una corrente continua di 15A e di gestire una corrente di spunto fino a 30A, il modello G9EJH-1-E si attiva e si disinserisce entro 30ms. La resistenza di contatto è inferio- re a 100mΩ, men- tre la resistenza di isolamento è di 1000MΩ e la rigi- dità dielettrica è di 2500V tra bobina e contatti. EO POWER - GIUGNO/LUGLIO 2025 XXXII