EOPOWER39

EO POWER/AUTOMOTIVE - GIUGNO/LUGLIO 2025 XXX Power/Automotive Fig. 4 - Un esempio di un tipico stadio PFC attivo implementato in un alimentatore c.a./c.c. con un convertitore boost. (Immagine per gen- tile concessione di Vishay Semiconductor) Fig. 3 - Il diodo SiC MPS VS-3C05ET12T-M3 è disponi- bile in un contenitore a foro passante ed è classificato per una corrente diretta di 5 A, con una tensione diret- ta di 1,5 V alla massima corrente nominale. (Immagine per gentile concessione di Vishay Semiconductor) MPS. L’aumento della conducibilità della zona di deriva a una corrente elevata mantiene la tensione diretta a un valore basso. Le prestazioni dei dispositivi SiC in termini di corrente di picco derivano dalla natura unipolare del dispositivo e dalla resistenza relativamente elevata dello strato di deri- va. La struttura MPS migliora anche questo parametro di prestazione e il posizionamento geometrico, le dimensio- ni e la concentrazione di drogaggio dell’area drogata con P influenzano le caratteristiche finali. La caduta di tensione diretta è un compromesso tra i valori nominali della cor- rente di dispersione e di sovracorrenti transitorie. In condizioni di polarizzazione inversa, le regioni droga- te con P spingono l’area complessiva di massima inten- sità di campo verso il basso, allontanandola dalla barrie- ra metallica con le sue imperfezioni e portandola nello strato di deriva quasi privo di difetti, riducendo così la corrente di dispersione complessiva. Ciò consente a un dispositivo MPS di funzionare con una tensione di rot- tura più elevata a parità di corrente di dispersione e di spessore dello strato di deriva. La struttura MPS di Vishay utilizza la tecnologia a film sottile, in cui la ricottura laser assottiglia la parte poste- riore della struttura del diodo, riducendo la caduta di ten- sione diretta di 0,3 V rispetto alle soluzioni precedenti. Inoltre, le cadute di tensione diretta dei diodi sono quasi indipendenti dalla temperatura (figura 2). Questo grafico mostra la tensione diretta di entrambi i tipi di diodi in funzione della corrente diretta, con la tem- peratura come parametro. Le cadute di tensione diretta dei diodi Schottky puri aumentano esponenzialmen- te per correnti superiori a 45 A. Il diodo MPS mantiene una caduta di tensione diretta più costante all’aumentare della corrente diretta. Si noti che la tensione diretta di- minuisce all’aumentare della temperatura per livelli di corrente diretta più elevati nel diodo MPS. Esempi di diodi MPS I diodi SiC MPS avanzati di Vishay sono classificati per 1200 V di picco inversi con correnti nominali dirette da 5 a 40 A. Ad esempio, il modello VS-3C05ET12T-M3 (figu- ra 3) è un diodo a foro passante in contenitore TO-220-2